碳化硅

作为新材料的SiC，与传统硅材料相比，有哪些特性？从物理特性来看，SiC与硅材料的电子迁移率相差不大，但其禁带宽度、击穿电压、热导率和电子迁移速度分别是硅材料的3倍、8倍、4倍和2倍。同时，高达9.5的莫氏硬度也高出硅材料50%。这意味着基于碳化硅材料的功率半导体具有高耐压、低导通电阻、寄生参数小等优异特性，非常适合制造很多大功率汽车电子器件，例如车载充电器(OBC)、降压转换器和主驱逆变器。电动汽车市场的蓬勃发展是SiC高速扩产背后的驱动力之一，尤其是电动车的主驱逆变器业务。随着汽车制造商对更高能效和续航能力的追求，如何通过SiC、IGBT和MOSFET等多类型的产品组合有效缓解电动汽车“里程焦虑”，正成为相关企业孜孜以求的目标。

车规级碳化硅(SiC)功率器件的大规模应用是目前汽车行业最火热的话题之一。