香港首条8英寸氮化镓外延片中试线启动

7月30日，据香港中通社消息，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司（以下简称麻省光子技术）联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线启动仪式。

source：香港科技园 仪式上，专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布，该公司计划于香港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于香港科技园微电子中心（MEC）开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少2亿港元（约1.85亿人民币），带动第三代半导体产业链发展。 据介绍，麻省光子技术将联合香港微电子专家开发下游的氮化镓光电子和功率半导体器件。通过新产品的中试研发和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化镓外延技术和产品专利包，目标是三年内完成中试并启动在香港的氮化镓外延量产产线建设，实现年产1万片8英寸氮化镓晶圆产能，将香港制造的外延片产品推向全球市场。 据了解，第三代半导体是香港近年来重点发展的科技领域。活动中，香港特区政府创新科技及工业局局长孙东表示，香港微电子研发院将于今年内成立，并设立碳化硅（SiC）和氮化镓两条中试线，协助企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研合作。 此前据港媒报道，今年5月，香港立法会财务委员会批准了高达28.4亿港元（约26.32亿人民币）的拨款，用于设立一个专注于半导体研发的机构——香港微电子研发院。据报道，香港微电子研发院将专注支持第三代半导体，包括碳化硅和氮化镓，该研究中心将率先在大学、研发中心和业界之间就第三代半导体进行合作。 除投资设立第三代半导体研究机构外，香港还引入了第三代半导体碳化硅相关厂商。2023年10月，香港科技园与杰平方半导体签署合作备忘录，双方将在香港科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首家8英寸碳化硅先进垂直整合晶圆厂。 据杰平方介绍，该8英寸碳化硅先进垂直整合晶圆厂项目总投资约69亿港元（约63.94亿人民币），计划到2028年年产24万片碳化硅晶圆。 而通过本次引入氮化镓厂商麻省光子技术，香港有望进一步深化第三代半导体产业布局，形成碳化硅、氮化镓双线发展态势。

 

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