光子芯片是一种利用光波作为信息载体的芯片，具有低功耗、高带宽和低时延的特点，是未来信息产业的重要基础。在材料选择方面，钽酸锂因其优异的电光转换特性和可规模化制造的优势，被认为是一种有潜力的材料。中国科学院上海微系统与信息技术研究所的欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得了突破性进展，他们开发的钽酸锂光子芯片在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势 [^1^][^2^]。
该团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过氢离子注入结合晶圆键合的方法，成功制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。此外，他们还开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，使得对应器件的光学损耗降低至5.6 dB m^-1，这一损耗值低于其他团队报道的晶圆级铌酸锂波导的最低损耗值 [^1^]。
钽酸锂光子芯片展现出与铌酸锂薄膜相当的电光调制效率，并且基于钽酸锂光子芯片，研究团队首次在X切型电光平台中成功产生了孤子光学频率梳，有望在激光雷达和精密测量等方面实现应用。目前，该研究团队已攻关8英寸晶圆制备技术，为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了材料基础 [^1^][^2^]。
钽酸锂薄膜的制备效率更高、难度更低、成本更低，同时具有强电光调制、弱双折射、更宽的透明窗口、更强的抗光折变等特性，这些优势极大地扩展了光学设计的自由度 [^5^]。因此，可以确认光子芯片确实需要使用钽酸锂材料，并且该材料在光子芯片的制备中展现出了显著的优势和应用潜力。
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