氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在国防（雷达、SATCOM）和商业（

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在国防（雷达、SATCOM）和商业（5G 等）领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段，标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此，我们建议转向氮化铝（AlN）平台。氮化铝可实现更优的异质结构设计，从而提高III族氮化物放大器的输出功率和热管理。除了改良现有放大器技术，氮化铝还可实现此前氮化镓电子器件无法达到的集成度。最先进的大电流p沟道场效应晶体管、成熟的滤波器技术和先进的波导等均可通过 AlN 实现与AlN/GaN/AlN HEMT单片集成。正是基于全新的AlN平台技术，氮化物电子器件才能最大限度地发挥其在毫米波通信和大功率应用中的高频、高功率潜能。