8月2日，据中微公司官微消息，中微公司宣布其临港产业化基地正式启用。据悉，中微公司临港产业化基地占地约157亩、总建筑面积约18万平方米，配备实验室、洁净室、生产车间及智能化立体仓库等设施，可实现生产全程数字化、智能化管理。
图片来源：中微公司
项目进展方面，2023年7月，14万平方米的中微公司南昌生产研发基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微临港总部暨研发大楼也正在建设中，建成后占地面积约10万平方米。未来，中微公司的生产和研发基地总面积将达到约45万平方米。
中微公司临港产业化基地
业务进展方面，中微公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等领域均取得了突破。在刻蚀设备领域，凭借刻蚀设备双台机技术，中微公司率先提出“皮米级”加工精度概念，其刻蚀精度已经达到100“皮米”以下水平，相当于头发丝350万分之一的精准度，能够满足90%以上的刻蚀应用需求。
半导体薄膜沉积设备领域，中微公司推出了Preforma Uniflex CW、Preforma UniflexHW、Preforma Uniflex AW等多款新产品。此外，其新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等多款新产品，也会在近期投入市场验证。
在MOCVD设备领域，中微公司自推出第一代MOCVD设备PRISMO A7以来，不断丰富产品线且快速升级迭代，目前在Mini LED等氮化镓基设备领域，中微公司的市场占有率稳居前列，并持续开发用于氮化镓、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD设备。
今年，国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。IEEE Xplore 电子图书馆发表周期约为会后三个月，IEEE Xplore拥有论文审核周期与是否录用的最终解释权。注：IEEE是EI检索系统的合作数据库。
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