芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法”,专利申请号为CN202311686672.8,授权日为2024年8月9日。
专利摘要:本发明提供一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法,碳化硅平面MOS器件在间隙处通过金属覆盖层填充钝化层内侧的间隙,而非PI层填充钝化层内侧的间隙,该结构增加了cell区有效面积,还避免了PI层在间隙处对钝化层施加大的应力,即减少了钝化层在间隙侧壁的应力,起到了对钝化层的保护,改善了钝化层在间隙侧壁开裂的现象,从而优化了碳化硅平面MOS器件的可靠性。
今年以来芯联集成新获得专利授权54个,较去年同期增加了38.46%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了15.29亿元,同比增82.25%。$天岳先进(SH688234)$ $士兰微(SH600460)$
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