芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权，专利名为“一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202311686672.8，授权日为2024年8月9日。
专利摘要：本发明提供一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法，碳化硅平面MOS器件在间隙处通过金属覆盖层填充钝化层内侧的间隙，而非PI层填充钝化层内侧的间隙，该结构增加了cell区有效面积，还避免了PI层在间隙处对钝化层施加大的应力，即减少了钝化层在间隙侧壁的应力，起到了对钝化层的保护，改善了钝化层在间隙侧壁开裂的现象，从而优化了碳化硅平面MOS器件的可靠性。
今年以来芯联集成新获得专利授权54个，较去年同期增加了38.46%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了15.29亿元，同比增82.25%。$天岳先进(SH688234)$ $士兰微(SH600460)$
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