目前，我国正在四川冕宁县建设世界最深最大的暗物质探测试验室，需要大量的13N超高纯锗单晶制备成高纯锗探测器，以寻求更低的暗物质存在下限。2016年12月，科技部下发的2017年度国家重大科技计划专项申报指南“重大科学仪器设备开发”2.6中，明确指出“研制高纯锗能谱仪是重要任务， 其中研制出13N的超高纯锗单晶是核心关键”。为此，开展 13N超高纯锗单晶制备关键技术研究，将紧密契合国家产业发展需求，大势所趋。中国是世界锗资源大国，对研制13N超高纯锗单晶来说，具备得天独厚的资源优势。然而，国际上对超高纯锗单晶制备技术实行了技术封锁，迄今，只有美国、比利时能够生产超高纯锗单晶，且被美国垄断市场。
早在2009年，云南锗业通过承担《国家科技支撑计划项目—超高纯锗单晶制备关键技术及应用开发（2009BAE84B092）》，掌握了高纯锗单晶制备的关键技术，制备出了高于12N超高纯锗单晶，形成了多项研发技术专利，具备了相应的研发技术能力。目前公司拥有自主研制的单晶炉、引进的磨边机、内圆切片机、平面度检测仪、颗粒度测试仪等国内外先进的研发设备，建成了具有国际先进水平的光电半导体材料系列产品生产和研发基地，培养出了一批高层次创新型科技人才团队，构建了与产业化开发技术相匹配的技术创新平台。
13N超纯锗单晶制备关键技术研发项目主要分为三个阶段，即探索性研究试验阶段；试验厂建设、设备调试及产品试制阶段；试验研究、总结验收阶段。该项目预期达到的目标成果：一是解决我国13N超高纯锗单晶产业发展存在的关键技术难题，开发具有自主知识产权的单晶生长核心技术。研制出合格的13N超纯锗单晶锭。二是公司通过实施“人才 项目”的培养模式，培养出一批高层次创新型科技人才。三是通过项目实施，申请国家专利2-3项，起草13N超高纯锗单晶企业标准1项。
通过项目的实施，拟研制出13N超高纯锗单晶材料，打破美国垄断，填补我国在该领域的空白，并将广泛运用于核工业、军事、工业、医学、海关检查、反恐等多个领域。
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