苏州苏大维格科技集团股份有限公司申请一项名为“一种微纳结构的制备方法、压印模板和

2024 年 8 月 14 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州苏大维格科技集团股份有限公司申请一项名为“一种微纳结构的制备方法、压印模板和防伪制品“，公开号 CN202410779688.1，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本发明涉及光刻印刷领域，特别涉及一种微纳结构的制备方法，以及制备得到的压印模板和压印得到的防伪制品。通过待制备的微纳结构的前景图案和背景图案获得直写图文和光栅图文，直写图文中包括多个直写光刻单元。将光栅图文中的像素点分别映射至直写图文，将识别出坐标相同的重合像素点。删除光栅图文中于重合像素点对应的像素点得到调整图文。利用调整图文进行干涉光刻，利用直写图文进行直写光刻，得到微纳结构。通过像素点映射的方式，形成可精准对位的文件进行光刻，节约工序，提高效率及成品率，且光刻后的结构没有重合叠加部分，具有更好的光学效果，实现了高分辨率大幅面的微米级光刻结构和纳米级光刻结构的复合