福晶科技取得消除晶体体发热的专利，极大提高产品品质稳定晶体器件的性能

2024 年 8 月 14 日消息，天眼查知识产权信息显示，福建福晶科技股份有限公司取得一项名为“一种消除晶体体发热的 KGW 晶体制备方法及得到的晶体“，授权公告号 CN115537912B，申请日期为 2022 年 10 月。

专利摘要显示，一种消除晶体体发热的 KGW 晶体制备方法及得到的晶体，所述方法为采用三氧化钨、氧化钆和碳酸钾为原料，按比例配制并充分研磨混合，梯度高温预烧后，制备晶体生长多晶料，将晶体生长多晶料加热熔化，再用搅拌器搅拌完全均匀，采用顶部籽晶熔体法晶体生长工艺，在熔体表面或熔体中进行晶体生长。用以上方法进行原材料预处理和晶体生长来达到了消除 KGW 晶体在应用中体发热的效应，极大提高了产品品质，稳定晶体器件的性能。