福重大利好福晶科技股份有限公司取得一项名为“一种消除晶体icon体发热的 KGW 晶体制备方法及得到的晶体“，授权公告号 CN115537912B，申请日期为 2022 年 10 月。 专利摘要显示，一种消除晶体体发热的 KGW 晶体制备方法及得到的晶体，所述方法为采用三氧化钨icon、氧化钆icon和碳酸钾icon为原料，按比例配制并充分研磨混合，梯度icon高温预烧后，制备晶体生长icon多晶料，将晶体生长多晶料加热熔化
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