晶合集成在CMOS图像传感器(以下简称CIS)产品上持续加速推进。近期,晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS,为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择,推动全画幅CIS进入发展新阶段。
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(产品图)
为满足8K高清化的产业要求,高性能CIS的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台,携手思特威共同开发光刻拼接技术,克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难,成功突破了在单个芯片尺寸上,所能覆盖一个常规光罩的极限,同时确保在纳米级的制造工艺中,拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。
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首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产,既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用,也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。同时,该产品具备1.8亿超高像素 8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能,创新优化光学结构,可兼容不同光学镜头,提升产品在终端灵活应用的适配能力,打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域长期垄断地位,为本土产业发展贡献力量。
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