8月28-30日，PCIM Asia 2024展览将在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大举行，本届展会汇聚了全球电力电子精英，共谋电力电子的发展之道。
PCIM Asia将汇聚全球第三代半导体企业翘楚，如英飞凌、安森美、博世、罗姆、安世半导体、中国中车及扬杰科技等百余家将带来全产业链最新的技术成果。
除产品技术展示，展会现场还将举办国际研讨会等一系列会议活动，届时在宽禁带功率器件论坛上，将有多家代表企业带来近30场SiC/GaN技术演讲，话题将覆盖汽车电子、光储充等众多领域。
今天，“行家说三代半”将从参展厂商、展品及技术研讨等方面进行详解，为大家推送展会亮点预告。
英飞凌、罗姆、芯联集成等百余家企业
展示第三代半导体新产品、新技术
PCIM Asia每年都会云集世界各地电力电子元器件及相关应用技术知名品牌企业，向业界呈现即将推出市场的研发产品和技术趋势，为全球电子电力行业奉上一场交流与合作的盛会。
其中，4大主题专区之一的宽禁带功率器件专区将聚集国际最先进SiC和GaN的技术展示，与新能源汽车、光伏、储能、充电和高端电源等专业用户和买家达成精准配对。
PCIM Asia还在持续发挥其国际影响力吸引更多相关企业汇聚，以下是已“官宣”将携最新产品出席的第三代半导体企业，预计该展览或是国内SiC/GaN企业参展数量最多的展会：
以下是部分参展商的展前预告：
富士电机
本届展会，富士电机将继续带来面向工业和汽车方面的产品，并配合展示一些实际的应用场景。其中，工业方面主要展出采用第7代“X系列”芯片和封装技术的IGBT模块产品；针对汽车市场将带来覆盖80kW~220kW功率应用的最新车载功率模块。
SiC新品方面，富士电机将展出HPnC封装的系列产品，可以搭载SiC芯片，可满足更多的定制化需求。
未来，他们还将开发基于第三代沟槽栅技术的SiC-MOSFET功率模块，相对第二代SiC可以降低15%的损耗。同时电压也提升至1200V等级，以对应日益增加的800V电池电压的市场需求。
英飞凌
即将在PCIM Asia亮相的英飞凌将展示其革命性的碳化硅产品系列——CoolSiC™ MOSFET G2。
在新一代产品中，英飞凌将再次为分立器件提供标准工业封装，例如，TO-247、D2PAK 7-pin，以及顶部散热封装。新产品以其突破性的能效和创新封装，为电动汽车快速充电、光伏、储能和工业电源等领域带来显著的能效提升。
此外，英飞凌还将在现场展出为AI数据中心提供先进的高能效电源装置产品路线图，详情请期待PCIM Asia，一睹英飞凌如何引领行业变革。
赛米控丹佛斯
赛米控丹佛斯将携其创新产品SEMITRANS 20 和 SKiiP 4 SiC出席，配备多源采购的 2kV SiC 芯片。SEMITRANS 20 实现了灵活的转换器的开发，而 SKiiP 4 SiC 则集成了功率模块、 驱动器、电流传感器和散热器。
无论是寻求标准封装还是即用型智能功率模块（IPM）解决方案，赛米控丹佛斯的产品都能满足客户的需求，确保客户的项目高效、可靠。
三菱电机
三菱电机将展示其前沿的碳化技术产品：1）J3系列SiC EV T-PM以其迷你封装和高可靠性，为电动汽车电驱系统带来革命性的性能提升。2）新型3.3kV Unifull™系列SiC-MOSFET模块继3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模块之后，三菱电机新开发了Unifull™系列SBD嵌入式SiC MOSFET模块，规格为3.3kV/200A、3.3kV/400A和3.3kV/800A。新型模块采用SiC MOSFET&SBD一体化芯片和LV100封装，将有助于提高铁路牵引系统、电力系统及大型工业变流系统的功率密度、效率和可靠性。3）工业用NX封装全SiC-MOSFET模块，以其低损耗特性和优化的叠层结构，显著降低功率损耗，提高系统效率。三菱电机的创新碳化硅产品，将为电力电子行业带来新的发展机遇。
罗姆
在本次PCIM Asia展会上，罗姆将聚焦碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
罗姆将首次推出其适用于车载牵引逆变器的新型二合一SiC功率模块“TRCDRIVE pack™”。该系列产品为小型封装，内置罗姆第4代SiC MOSFET；还将展示生产工艺向8英寸SiC晶圆工艺的转换，并探讨有关SiC产品的未来发展方向。
除此之外，罗姆还将展示EcoGaN™系列GaN HEMT，展示多种EcoGaN™系列产品的相关电路板及其在工业解决方案中的贡献。
中国中车
中国中车在轨道交通领域自主化攻关取得显著成果，即将在PCIM Asia展会上展出其创新的SiC、IGBT器件。
其中，SiC MOSFET晶圆 （1200V/10m）采用了中车沟槽栅技术，属行业先进的新能源汽车主驱用SiC MOSFET芯片。此外，他们还将展示汽车IGBT模块L10及TG450NP11U4-S50，为参展者带来轨道交通领域功率器件的全新视角。
博世
博世即将在展会上展出其创新的第二代碳化硅（SiC）功率芯片，这些芯片专为电动汽车牵引逆变器和车载充电器设计，提供1200V和750V两种电压等级。基于博世的沟槽栅专利技术，这些SiC MOSFET在功率密度、开关速度和损耗方面都有显著提升，预计将于2024年投入量产。
同时，博世的CSL功率模块系列和EG12x栅极驱动IC，进一步强化了公司在高压SiC领域的领先地位。CSL模块以其紧凑型设计满足电动汽车市场的高效需求，而EG12x栅极驱动器则通过电容耦合技术和多种配置选项，为逆变器提供最优性能。这些产品的展出将展示博世在SiC技术领域的最新进展和对新能源汽车行业的承诺。
安世半导体
本次展会，安世半导体将展示公司最新的基于碳化硅和氮化镓的产品、IGBT新品以及最新推出的NextPower MOSFET。这些产品均拥有很强的竞争力，具有卓越的效率、更高的导热性和更快的开关速度。
结合安世半导体在卓越质量和可靠性方面的优良记录，这些产品将重新定义电力电子领域的行业标准。
Power Integrations
PI即将在PCIM Asia展会上展出其创新性系列产品，其中：1）SCALE-iFlex™ XLT系列门极驱动器，为储能和可再生能源应用提供超紧凑的解决方案，增强逆变器模块的温控管理，简化BOM，提升系统可靠性。2）Scale-EV 2SP0215F2Q0C门极驱动器，专为汽车级IGBT开关设计，适用于电动巴士、卡车等，提供全面的汽车保护和诊断功能，以及IGBT温度监测。3）BridgeSwitch™-2高压集成半桥IC，为BLDC电机提供高达99%的逆变器效率，优化设计灵活性，减少元件数量，加速开发流程。
这些产品将为电力电子行业带来创新的驱动和控制技术，敬请期待PCIM Asia上的展示。
安森美
安森美将携旗下QDual3功率模块、EliteSiC M3e MOSFET及PowerTrenchT10 系列等重点产品量相PCIM Asia。其中EliteSiC M3e MOSFET通过创新设计，显著降低导通和开关损耗，提供超低导通电阻和抗短路能力，适用于主驱逆变器，提升电动汽车和工业应用效率。
该系列产品的推出，展示了安森美在碳化硅技术领域的领先地位，为关键电气化应用提供了一个坚固、稳定且高效的解决方案。
芯联集成
芯联集成将带来其在功率半导体领域的最新突破——将展出包括8英寸碳化硅晶圆在内的一系列创新产品，这些产品将涵盖汽车、新能源、工控和家电应用。
备受关注的将是车载紧凑型250kw塑封全桥SiC功率模组MB2，它以超低杂散电感和导通电阻，实现了高达98.6%的CLTC效率。此外，HF5和HB3模块，专为光伏和储能应用设计，提供了超低的动静态损耗，显著提升了系统效率。
芯联集成的SiC MOSFET产线即将量产，预示着公司在碳化硅器件领域的进一步发展。参观者将有机会一睹这些高效能、高可靠性的碳化硅产品，以及它们如何推动新能源汽车和光储充行业的进步。
宏微科技
在即将到来的PCIM Asia展会上，宏微科技将展出其先进的碳化硅(SiC)产品，包括专为新能源汽车设计的800V平台GVD系列SiC方案，以及针对光伏储能应用的150KW至320KW功率段产品。
这些产品以高效率、低损耗和卓越可靠性为特点，展现了宏微科技在SiC技术应用上的领先地位。敬请期待，探索宏微科技如何推动电动汽车和可再生能源的创新。
瑶芯微
在PCIM这一电力电子行业盛会，瑶芯将带来多款全新自主知识产权产品，G3代系IGBT H Discrete系列产品实现650V 40A-150A、1200V 40A-140A规格全覆盖；同时还将带来用于1500V母线的光伏/光储充方案的2000V&2300V SiC MOSFET系列。
过去几年，瑶芯重点布局新能源汽车，在线控底盘，跨域电子电气架构等前沿方向优先布局并实现批量出货；在光储充领域，产品方向沿着更大功率、更高效率、更低成本持续发展，IGBT、SiC MOS等在各大终端客户实现大批量出货和升级换代。
EPC
EPC将携旗下基于氮化镓（GaN）的功率转换解决方案出席展会。这些产品专注于效率、可靠性和性能，适用于机器人、无人机和人工智能服务器等应用。
EPC表示，GaN FETs和ICs可使机器人和无人机的系统更加高效、紧凑和精确，增强了它们的性能和功能；在电动汽车领域，氮化镓技术为混合动力汽车（HEVs）和纯电动汽车（BEVs）的48V总线系统提供了增强的效率、紧凑的尺寸和成本降低，推动汽车行业朝着更绿色、更强大的未来前进。
贺利氏
贺利氏将在展会上展出两款革命性产品：Condura.ultra和Die Top System (DTS)。
其中Condura.ultra 是一种成本高效、高度可靠的无银活性金属钎焊（AMB）基板，采用特殊技术开发，能够实现硅氮化物基陶瓷与铜箔的高强度键合，代表了高性能Si3N4基板技术的新高度。
Die Top System (DTS) 通过提升芯片连接的电气、热性能和可靠性，显著增强了整个模块的性能，为电力电子行业带来了全新的性能标准。
C
沙特基础工业公司（C）即将在PCIM Asia展会上展示其创新产品ELCRES™ HTV150A电容薄膜，这是一款专为电动汽车牵引逆变器模块设计的先进薄膜电容器。
C与Nichicon合作开发的这款产品，以其耐受150C高温和900-1000V高电压的特性，成为业界首创。经过2000小时150C或3600小时130C的测试后，ELCRES HTV150A薄膜仍能维持其卓越性能，展现出高电压击穿强度、良好的自愈性和较低的介电损耗。这一突破性产品将助力电动汽车提升性能，延长续航里程，加快充电速度。
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