据新闻晨报报道，8月21日，从江苏通用半导体有限公司（下文简称通用半导体）传来消息，由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付碳化硅衬底生产领域头部企业，并投入生产。

图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备（source：通用半导体） 据介绍，该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，并可剥离碳化硅衬底20000片，实现良率95%以上，与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，而设备售价仅仅是国外同类产品的1/3。 值的一提的是，今年7月，通用半导体自研的碳化硅晶锭激光剥离设备成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片。资料显示，通用半导体成立于2019年，致力于高端半导体产业装备与材料的研发和制造。

source：通用半导体

在融资方面，通用半导体在2021年8月和2023年8月分别完成天使轮和A轮融资，投资方包括天演基金、拉萨楚源、浑璞投资、东北证券、鼎心资本等机构。 在产品方面，通用半导体于2020年研发出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年成功推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备（针对3D Memory)；2023年成功研发国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线；2024年研制成功SDTT激光隐切设备（针对3D HBM）。 通用半导体董事长陶为银介绍，采用基于激光工具和加工技术切割、剥离碳化硅晶锭，可实现高效、精确和高质量的制造，极大地降低碳化硅衬底的生产成本，减少浪费和环境影响。    

集邦化合物半导体整理

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