鳍式半导体……锗………………华为有一个名叫“鳍式场效应晶体管和制备方法”的

鳍式半导体……锗………
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华为有一个名叫“鳍式场效应晶体管和制备方法”的专利，在今年年初的时候正式公布了，它或许是华为扭转局面的一个利器。
在专利摘要中显示，本申请实施例提供了一种鳍式场效应晶体管和制备方法，采用本申请提供的鳍式场效应晶体管的结构，可以在保证开关速度的情况下提高鳍式场效应晶体管的可靠性。
所谓的鳍式场效应晶体管，就是大家经常看到FinFET，由华人科学家胡正明教授最早提出，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，因为晶体管的形状与鱼鳍相似，故名鳍式场效应晶体管，目前很多先进的芯片都采用该技术。
那么华为的这个鳍式场效应晶体管有什么特别之处吗？
根据网友的爆料，称华为的晶体管设计专利，是中国首个FET结构设计，相较于FinFET以及GAA FET，它的结构可以鳍通道被闸门全包围，时钟频率大了一倍，电阻下降一半，性能或将比GAA强10%。GAA是一种新的晶体管技术，可以突破FinFET的性能限制，主要用于5nm以下的工艺制程。例如三星在2022年就宣布，其3纳米GAA架构的芯片已经开始量产。