江苏第三代半导体研究院应用高质量同质外延技术，
在攻克再生长界面问题、晶体质量再提升、外延材料均匀性等方面
做了大量的技术攻关，
不断深挖和优化显示应用Micro-LED外延结构。
近期，南方科技大学刘召军教授团队在“超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心”支持下，与王国斌博士团队合作，在超高性能同质外延Micro-LED取得新突破。通过零应力工程技术开发低极化效应同质外延片，制造的相关器件和AR/MR显示模组，实现了优越的单色性和波长稳定性，并在高电流密度下表现出优越的发光特性。
随着材料科学和器件设计的不断进步，同质外延Micro-LED有望在提高亮度、降低功耗和扩展色域等方面取得更大突破。
“超高性能同质外延Micro-LED”研发成果以《Ultra-low-defect homoepitaxial micro-LEDs with enhanced efficiency and monochromaticity for high-PPI AR/MR displays》
为题发表于今年8月《PhotoniX》
a Efficiency issues in micro-LED AR glass with diffractive waveguide (from Millions of Nits-In and Thousands of Nits-Out); b Fabrication process of micro-LED display:1. micro-LED homoepitaxy; 2. micro-LED processing; 3. laser dicing transfer of thinned and polished homoepitaxy wafer; 4. chip-to-chip bonding mass transfer of micro-LED display chip and CMOS two-transistor one-capacitor (2T1C) driver; (c), (f) Cathodoluminescence (CL) characterization, (d), (g) Transmission electron microscopy (TEM) observation, (e), (h) different polarization field in quantum well (QW) and lattice/thermal mismatch demonstration of GaN-on-GaN homoepitaxy and GaN-on-Sapphire heteroeptaxy structure
a Symmetric and (b) Asymmetric rocking curves; c: micro-Raman scattering spectra; d room-temperature time-resolved phototluminescence (TRPL) decay of GaN-on-Sapphire and GaN-on-GaN structure respectively; e current–voltage (I-V) and current density–voltage (J-V) characteristics; f ideality factor extraction within 2–3 V; g series resistance extraction; h EQE characteristics of three types of micro-LED
江苏第三代半导体研究院材料生长创新平台，面向产业需求，聚焦关键共性技术，着力布局同质外延技术，深入开展Micro-LED和激光器，电力电子，微波射频材料和器件技术攻关。
研究院积极参与国家科技部、省科技厅、基础研究计划自然科学基金等“新型显示与战略电子材料”、“面向显示与通信融合应用”等课题，在GaN 同质蓝绿光 Micro-LED 外延片及芯片工艺、GaNMicro-LED 结构外延及器件制备获得系列研究成果。
研究院与深圳市思坦科技有限公司共建超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心，共同解决Micro-LED器件开发的核心材料、芯片工艺等关键科学和共性技术问题，成功开发出蓝、绿Micro-LED器件，单颗像素尺寸≤2m。项目还创新性地采用微纳加工技术提升器件的光电性能。“1+N+X”协同创新联合共建模式进一步推动第三代半导体产业创新发展。
【论文出处】
发表于：PhotoniX
论文链接：https://photonix.springeropen.com/articles/10.1186/s43074-024-00137-4
文献检索：PhotoniX 5, 23 (2024). https://doi.org/10.1186/s43074-024-00137-4
来源：江苏第三代半导体研究院
今年，国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。论坛与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表。IEEE Xplore 电子图书馆发表周期约为会后三个月，IEEE Xplore拥有论文审核周期与是否录用的最终解释权。注：IEEE是EI检索系统的合作数据库。特别提醒：应广大专家、学者的建议，组委会慎重决定将论文摘要截止日期延至：2024年9月18日，论文摘要录用通知延至：2024年9月30日。欢迎业界从业者，学界专家、青年学者、博士硕士研究生积极投稿。
本文作者可以追加内容哦 !
