8月28-30日,PCIM Asia 2024展在深圳举行。“行家说”进行了为期2天的探馆,合计报道了200+碳化硅相关参展企业(.点这里.)。

其中,“行家说”还重点采访了长飞先进等众多企业,深入了解了他们在碳化硅领域的最新技术进展、产品创新以及市场战略。

行家说三代半:本次展会上贵公司展示了哪些产品?能否介绍一下核心产品的创新点和优势?

长飞先进:在车规级产品领域,长飞先进重点展示了750V1200V车规级碳化硅MOSFET及1200V车规级碳化硅模块。该系列产品拥有低开关损耗、优异的抗雪崩能力、低导通电阻及快速反向恢复等特性,尤其是1200V车规级SiC MOSFET及模块,还有导通电阻随温度变化影响小、更低的栅极阈值电压漂移等亮点,适用于新能源主驱逆变器、电机控制、车载充电器、高压直流转换器等领域,可有效提升能源转换效率。

工规级产品领域,长飞先进带来了650V/1200V工规级JBS二极管、1200V工规级MPS二极管、1200V/1700V/2000V工规级碳化硅MOSFET及1200V工规级碳化硅模块等多款性能优异的自研产品,可广泛应用于电机控制、车载充电器、充电桩、工业电源、光伏储能逆变器等领域。

本次展示的碳化硅MOSFET产品均采用了长飞先进拥有完全自主知识产权的Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台,比导通电阻及栅极电荷均达到国内领先水平,具备极低的开关损耗和导通损耗,可显著提升逆变器及其他应用终端的性能。

行家说三代半:相比友商,贵公司有哪些竞争优势?

长飞先进:作为聚焦碳化硅功率半导体产品研发及制造的IDM企业,长飞先进具有4大优势:

一是作为IDM垂直整合制造商,拥有从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力,可以同时为客户提供自研产品和代工服务。IDM企业能够更好地控制生产经营成本,以及实现对产品质量可靠性的端到端服务。

二是拥有明确的产能规划,长飞先进的武汉工厂完全按照车规级标准打造,预计今年年底开始搬入设备,明年6月开始量产通线,规划年产6英寸36万片SiC外延和晶圆,产能供应可以充分满足下游客户的需求。

长飞先进武汉工厂示意图

三是公司团队具有丰富的技术和管理经验,我们的管理人员基本上都来自于世界500强企业,对半导体制程工艺较为熟悉。此前,长飞先进还成功建设了芜湖工厂,可以将经验复刻到武汉工厂,从而迅速打开产能。

四是拥有自主设计及工艺平台,碳化硅外延、芯片、器件各个环节分别有研发团队负责推进,极大保证了产品的开发速度和技术的领先优势。

行家说三代半:目前新能源汽车产业进入高速发展期,请问您如何看待其现状及前景?贵公司有哪些合作应用进展?

长飞先进:实际上,新能源车企一般有A、B两种方案,A方案即采用国外一线品牌的碳化硅器件上车使用,B方案就是采用国内厂商的器件,但一般要走完验证流程,最少需要一年半到两年的时间。目前,国内新能源汽车主驱采用的碳化硅器件,主要来自于国外头部企业

值得一提的是,长飞先进已经与多家国内车企开始碳化硅合作项目,我们相信,随着长飞先进持续发挥产品自研、产能直供等优势,未来将在新能源汽车主驱市场有非常好的市场前景。

行家说三代半:如今越来越多企业入局光储充赛道,您认为它将带来哪些机遇和挑战?贵公司有哪些合作应用进展?

长飞先进:相比新能源汽车,光储充、轨道交通、电网等领域引入碳化硅的速度并不快,用量还不大,但其验证流程没有上车那么长,所以普及速度会愈来愈快。其中,直流充电桩中的电源模块是最快导入碳化硅的,随着充电桩企业的带动,未来光伏、储能等企业也会跟进使用碳化硅。

目前,长飞先进已经跟两家生产充电桩电源模块的头部企业达成合作,第一笔订单已经敲定,正在推进当中。

行家说三代半:很多企业反映,今年市场需求出现下滑、内卷加剧,您怎么看待这个话题?贵公司是如何应对的?

长飞先进:近年来碳化硅企业的扩产项目越来越多,头部厂商转向8英寸的速度明显加快,对此,我有两个判断:

一方面,半导体制造工厂属于重资产,建设难度极高,尤其是碳化硅工厂,不像硅制程那么成熟,某些企业的碳化硅工厂仅停留在概念阶段或实际良率极低,其实际产能远低于宣传产能。

另一方面,从6英寸转向8英寸仍需要很长一段时间,目前8英寸衬底及外延良率都比较低,相关设备尚未完全升级换代,要想实现产能供应,还存在很大挑战。

对于长飞先进而言,基于芜湖工厂和研发生产团队积累的丰富经验,我们对武汉工厂的生产良率及效率充满信心,致力于以质量和服务获得客户的认可,在未来形成独特的竞争优势。

行家说三代半:贵公司接下来有哪些发展规划?

长飞先进:产品研发上,长飞先进会跟进下游新能源汽车、光储充等领域的需求,将推出塑封半桥模块、混合模块等产品;

技术储备上,长飞先进已经跟一些高校、实验室达成研发合作,目前还与一家国家实验室共同推进高压碳化硅器件研发,重点研发突破1200V以上碳化硅器件开发难题。

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