半导体产业网获悉：印度首个碳化硅半导体工厂、晶益通12亿元IGBT模块材料和封测模组产业园项目、合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目迎来新进展。详情如下：
1、总投资62亿卢比，印度首个碳化硅半导体工厂正式开工
9月6日（上周五），印度奥里萨邦举行由RIR Power Electronics Limited公司投资62亿卢比（约合5.25亿人民币）的印度首个碳化硅半导体项目工厂奠基仪式，奥里萨邦首席部长作为主宾参加活动。
据介绍，该项目奥里萨邦布巴内什瓦尔Khurdha Info valley的EMC园区，为期三年建设，预计将创造500多个就业岗位。建设该项目的RIR公司成立于1969年，主要从事整流器、逆变器及相关组件业务。去年10月底，该公司主导的碳化硅器件和封装项目获批，生产视为IGBT等传统硅半导体升级版的，用于包括电力电子、可再生能源系统和电动汽车的碳化硅半导体器件和装置。
2、晶益通12亿元IGBT模块材料和封测模组产业园项目明年投产
据“内江新区”消息，晶益通（四川）半导体科技有限公司旗下IGBT模块材料和封测模组产业园项目已完成建设总进度的40%，预计在明年5月建成。据了解，该项目总投资12亿元，规划建设用地约150亩，分两期建成集大功率IGBT模块材料、封装基板与封测材料、半导体设备精密零部件等于一体的全产业链条。
作为内江高新区重点引进项目，晶益通（四川）IGBT模块材料和封测模组产业园项目自开工建设以来进展顺利，目前该项目已完成建设总进度的40%，预计在明年5月建成。目前公司生产和厂房建设两条线齐头并进，实现了边建设、边生产。
晶益通（四川）半导体科技有限项目建成后，年产能分别达到设备模组、模具各100套，注塑产品500吨，机加精密零部件产品10000余吨，年产值预计10亿元以上，带动就业1000余人，能解决半导体制造封测行业卡脖子问题，技术达到国内领先水平，打造IGBT模组配件国内第一品牌。
3、合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通
合盛硅业下属单位宁波合盛新材料有限公司（以下简称“合盛新材料”），于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。这一里程碑式的成就标志着合盛新材料在第三代半导体材料领域取得了重大技术突破，全面跻身行业第一梯队。
全智能生产车间
经过五年的潜心研究与深入钻研，合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自2023年起，公司聚焦市场需求，专项攻克8英寸导电型4H-SiC衬底技术，经过近两年的理论深化与技术迭代，现已实现高质量产品的稳定量产。
8英寸衬底
8英寸晶锭
该8英寸导电型4H-SiC衬底在多项关键性能指标上均展现出卓越优势。通过精密的工艺控制与技术创新，衬底的微管密度显著降低至0.05/cm以下，确保了衬底的高纯度与高质量。同时，4H晶型面积比例达到100%，展现了极高的晶体完整性与稳定性。电阻率稳定在0.015-0.025·cm之间，相对标准偏差小于4%，彰显了材料优异的性能。
备注：上述信息由半导体产业网 据公开信息整理，仅供参考！
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