6英寸氧化镓晶圆，利用导模法（EFG）生长的UID及锡掺杂Ga2O3晶体（100）加工得到。（杭州富加镓业科技有限公司）
6英寸氧化镓晶圆
氧化镓外延片（MOCVD）基于金属有机化学气相沉积（MOCVD），在导电型Sn掺杂Ga2O3衬底上生长Ga2O3同质外延膜。（杭州富加镓业科技有限公司）
衢州发展旗下的杭州富加镓的大尺寸晶圆（6英寸）和外延衬底产品已全面开售，而且是先进的导模法制造所得。
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