8月28-30日，PCIM Asia 2024展在深圳举行。“行家说”进行了为期2天的探馆，合计报道了200+碳化硅相关参展企业（.点这里.）。
其中，“行家说”还重点采访了东芝等十余家企业，深入了解了他们在碳化硅领域的最新技术进展、产品创新以及市场战略。接下来我们还将推送更多受访企业的深度报道，敬请期待！
行家说三代半：本次展会上贵公司展示了哪些产品？能否介绍一下核心产品的创新点和优势？
东芝：本次展会上，东芝向公众展示了大功率器件IEGT（即IGBT产品，于90年代末注册了专利）、双栅极RC-IEGT、IEGT压接组件、智能功率器件、碳化硅MOS模块、SiC MOSFET 3相逆变器以及碳化硅分立器件等产品。其中：
大功率器件IEGT：东芝IEGT可适用于发电到输配电、再到应用的整个能源链，其采用PPI压接式封装实现高可靠性、高散热性。此次展出，东芝更新了3300V~6500V的PPI压接式产品线，新增多款产品，如ST1000GXH35、ST1500GXH35A等，这些产品覆盖了不同电压和电流等级，可以满足不同客户需求。
碳化硅MOS模块：东芝展出了已经量产的全系列碳化硅MOS模块，涵盖1200V、1700V、2200V、3300V电压，具备低杂散电感、低热阻、高可靠性等特点。在这些展品中，东芝的“MG800FXF1ZMS3”和“MG800FZF1JMS3”，采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片，通过银烧结内部键合技术和iXPLV封装，有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。
SiC MOSFET的3相逆变器：采用1200 V SiC MOSFET，为18 kW电机提供强大驱动，适用于工业设备等应用。在仅250 mm×145 mm的精巧电路板上，巧妙整合了SiC MOSFET、光电耦合器和运算放大器等关键元件，实现节能降耗。
碳化硅分立器件：内置SBD、低损耗、易设计是东芝碳化硅MOSFET的代名词，可应用于充电桩、数据中心、新能源发电、马达等领域。主要特点包括：低二极管导通电压、低Ron×Qgd、VGS控制范围宽(驱动易设计)。
行家说三代半：相比友商，贵公司有哪些竞争优势？
东芝：东芝公司在IGBT产品线上，我们专注于产品的可靠性，实行严格的质量控制。在碳化硅领域，我们致力于生产高效率、高可靠性的SiC产品，并为此建立了独立的车规级SiC生产专线。这与国内企业的做法有所不同，后者通常是在产品通过车规认证后，才将生产线称为车规生产线。东芝从建线之初就设定了通过车规认证的目标，确保我们的产线完全符合车规级标准。
行家说三代半：请问您如何看待碳化硅的市场前景？贵公司在该领域有哪些技术进展？
东芝：东芝的产品技术路线与众不同，我们首先开发了模块产品，然后才是单管产品。模块产品主要面向轨道牵引行业，而单管产品则主要针对当前十分火热的新能源和光储充市场。
尽管我们的碳化硅产品在市场上的份额尚在增长阶段，但我们的第三代SiC产品采用了MOS中内置SBD的技术路线，实现了产品差异化，避免了同质化导致的市场竞争，获得了客户的一致好评。
行家说三代半：目前新能源汽车产业进入高速发展期，请问您如何看待其现状及前景？贵公司有哪些合作应用进展？
东芝：新能源汽车产业正处于快速发展期，东芝在这一领域持续增长。我们的目标是深化产品开发，以期在市场中占据更大的份额。
行家说三代半： 很多企业反映，今年市场需求出现下滑、内卷加剧，您怎么看待这个话题？贵公司是如何应对的？
东芝：面对市场需求下滑和内卷加剧的市场环境，东芝更倾向于通过合作而非竞争来应对。最近，东芝决定芯片业务，这一策略与许多海外品牌的路线相符，也符合国内器件国产化的趋势。
行家说三代半：今年以来，贵公司在技术研发等方面有哪些新的成绩和亮点？接下来有哪些发展计划？
东芝：在技术研发方面，东芝在IGBT产品线上将持续向高电压（6500V）方向发展。在碳化硅领域，我们的第三代产品已投入量产，同时第五代产品也在积极推广中。
去年，在日本政府的推动下，东芝与罗姆公司就SiC/IGBT生产达成合作，实现了资源共享，目前该项目正在按计划进行产能排期。
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