我国半导体制造核心技术突破，仅次于光刻的重要环节打破国外垄断

$半导体ETF(SH512480)$   

据国家电投介绍，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。

核力创芯的技术突破，打破了国外垄断。核力创芯在不到三年的时间里，突破多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。