这一碳化硅衬底及外延厂奠基！

今（13）日，Resonac（原昭和电工）宣布，在日本山形县东根市，公司用来生产功率半导体用碳化硅（SiC）衬底及外延的新大楼，已开始动工。奠基仪式于9月12日举行。 据介绍，该SiC晶圆厂建筑面积约为5832平方米，预计竣工时间为2025年第三季度。

source：Resonac 此前有报道称，Resonac将投资约300亿日元（折合人民币约15亿元）扩产碳化硅产能，并在山形县工厂增设SiC衬底产线，预计在2027年开始量产，日本经济产业省最高将补助103亿日元（折合人民币约5亿元）。除了建厂扩产之外，在8英寸碳化硅领域，Resonac亦有动作。据日媒报道，Resonac的8英寸SiC外延片品质已经达到了6英寸产品的同等水平。目前，公司正在通过提高生产效率来降低成本，样品评估已经进入商业化的最后阶段。预计一旦成本优势超过6英寸产品，Resonac就会开始转型生产8英寸产品。

source：Resonac Resonac凭借在SiC单晶衬底上形成SiC外延层的技术优势，拥有非常可观的SiC外延片市场份额，并向高端市场供应SiC外延片。 Resonac开发的8英寸产品与其供应给高端市场的6英寸SiC外延片拥有相同品质。Resonac目前面临的挑战仅有成本问题，公司正通过设置最佳参数和用料，来缩短生产时间并提高产量。值得一提的是，除了量产8英寸SiC外延片外，Resonac还将在2025年开始量产8英寸碳化硅衬底。

 

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