今日，国产光刻机技术领域传来了利好消息。根据工业和信息化部在官网公布的《首台（套

$宝丽迪(SZ300905)$  

今日，国产光刻机技术领域传来了利好消息。根据工业和信息化部在官网公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，国产光刻机取得了重大突破。其中，氟化氩光刻机的套刻精度达到了≤8nm，这是一个非常显著的进步。该光刻机的核心技术指标还包括晶圆直径300mm，照明波长193nm，分辨率≤65nm。此外，氟化氪光刻机的晶圆直径同样为300mm，照明波长248nm，分辨率≤110nm，套刻精度≤25nm。这些进展表明，国产光刻机在关键技术指标上已经达到了国际先进水平，对于推动我国半导体产业的发展具有重要意义。