MEMS芯片制造采用光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀、薄膜沉积、氧化、扩散、注入、溅射、

MEMS芯片制造采用光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀、薄膜沉积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、键合等基本工艺步骤来制造复杂三维结构的微加工技术。随着多年发展，MEMS领域也出现了一些专门的工艺，例如各向异性湿法蚀刻（anisotropic wet etching）、晶圆键合（wafer bonding）、深反应离子蚀刻（deep reactive ion etching）等，但其应用仍然仅限于 MEMS，目前来看并没反过来应用于IC行业。
一般来说，MEMS芯片制造的基本工艺包括三个关键步骤：沉积（Deposition）、图形化转移（Patterning）、蚀刻（Etching），整个过程即：晶圆/衬底涂抹光刻胶，然后通过对光刻胶曝光，去除非图形化部分的光刻胶，然后用光刻胶作为掩模来蚀刻下方的材料。整个过程重复进行，直到完成微观结构。