一、基本信息
申请公布号：CN109321976A
申请号：CN201811357744.3
分类号：C30B29/08;C30B13/00
分类：晶体生长〔3〕
公开（公告）号：CN109321976A
公开（公告）日：2019-02-12
发明名称：制备13N超高纯锗单晶的方法及设备
发明人：普世坤;李学洋;董汝昆;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;包文瑧;滕文
申请人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司昆明云锗高新技术有限公司云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日期：2018-11-15
申请公布日期：2019-02-12
代理机构：昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人：施建辉
地址：650000 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
摘要：一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设至在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方。本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，结构简单，设计科学，使用方便，制备出的锗锭，纯度高，能够得到13N纯度的锗单晶，满足高精探测器使用。
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