氟化氩光刻机横空面世，国产芯片更上一层楼
为促进首台（套）重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，工信部于 9 月9 日印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》（以下简称《目录》）通知，在文件列表包含国产氟化氩光刻机（65nm）等集成电路关键生产设备。
9 月 15 日消息，从工业和信息化部在官网公布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》来看，国产光刻机已取得重大突破，氟化氩光刻机套刻≤8nm。光刻机、刻蚀机等芯片生产关键设备取得突破，也就意味着我国芯片制造商在关键设备上有了更先进的国产设备可用，有利于芯片产业链的国产化，也将提升国产芯片的水平，保障供应。
芯片制造：一个复杂且精密的过程：芯片制造主要有四大环节：材料清洗、芯片设计、晶圆制造、芯片封装测试。清洗环节，把多晶硅通过拉晶、切割到清洗后把硅片准备好；芯片设计环节，电路和工艺的设计到光罩（光掩膜版）的形成，光罩上的电路图形通过紫外光照射转移到晶圆上的光刻胶层，然后通过显影和刻蚀工艺将图形转移到晶圆上。
光罩的质量和精度对集成电路的性能有这直接的影响。
晶圆制造的环节中 ，光刻技术非常的重要。光刻技术包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面，其中光复印工艺涉及将掩模版上的图形精确传递到晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上，而刻蚀工艺则是利用化学或物理方法去除未被光致抗蚀剂覆盖的衬底部分，从而获得与掩模版图形一致的结构。
氟化氩光刻机的关键参数：工信部微信公众号“工信微报”介绍，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。中国首台（套）重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。
《目录》中的电子专用装备目录下提到，集成电路生产设备方面包括化氟化氪光刻机，光源 248 纳米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm；氟化氩光刻机，光源 193 纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。光刻机产业图谱与前景：投资建议：光刻机技术是半导体工艺中的关键，决定了芯片晶体管尺寸大小，直接影响芯片性能和功耗。近几年以来，光刻机对国内半导体行业发展及集成电路产业链自主可控重要性日益凸显，建议关注相关产业链的机会。
建议关注：光刻机、光刻胶、半导体等
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