9月17日消息,Lumileds宣布在InGaN红光LED的研发上再次取得了突破性新进展,解决了高浓度铟带来的相关挑战。有产业人士表示,这将会是做将会是最合适做红光 Micro LED的技术。

据悉,相较于AlInGaP材料,采用InGaN材料的红光LED,能够与同样基于InGaN材料的绿光和蓝光LED在制造过程中相互协调。InGaN的大规模工业产能带来了规模经济优势,并且更适合与硅半导体制造集成。此外,InGaN红光在Micro LED的应用前景较佳,其在微米级尺寸和低电流密度下仍能保持高效率。

InGaN红光LED的光谱示例,来源:Lumileds 同时,Lumileds的科学家首次展示了利用InGaN LED所产生鲜艳的深红光LED(主波长为615nm,对应峰值为635nm),在10A/cm的电流密度下实现了7.5%的光电转换效率(wall-PLUG efficiency)。Lumileds的新研究成果解决了高浓度铟带来的相关挑战,包括电流密度增加所导致的光谱峰值漂移和增宽问题。 Lumileds氮化物外延开发总监Rob Armitage表示,目前,10m以下红光Micro LED的效率问题,是实现成本效益和高效Micro LED显示器的障碍之一。本次Lumileds在红光InGaN上的研究工作,验证了团队正在解决红光InGaN成本和效率的道路上,使其能够达到应用门槛。

基于此,有产业人士表示,高浓度铟掺杂的氮化镓如果能解决峰值漂移和半波宽度问题,将会是最合适做红光 Micro LED的技术。 另外,Lumileds成功地在单一的InGaN外延堆栈中实现了红、绿、蓝三种光的发射。随后,Lumileds将这一成果转化为具有出色颜色质量和电气特性的Micro LED,将三种原色整合到单个Micro LED中,这将为实现低成本、高产量的Micro LED显示器组装带来积极影响,并最终将实现AR眼镜应用的紧凑型全彩显示器。

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