2024年09月24日 Global Info Research调研机构发布了《全球碳化硅分立器件行业总体规模、主要厂商及IPO上市调研报告，2024-2030》。本报告研究全球碳化硅分立器件总体规模，主要地区规模，主要企业规模和份额，主要产品分类规模，下游主要应用规模等。统计维度包括收入和市场份额等。不仅全面分析全球范围内主要企业竞争态势，收入和市场份额等。同时也重点分析全球市场主要厂商（品牌）产品特点、产品规格、收入、毛利率及市场份额、及发展动态。历史数据为2019至2023年，预测数据为2024至2030年。
调研机构：Global Info Research电子及半导体行业研究中心
报告页码：203
本文研究碳化硅分立器件，包括碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET分立单管、碳化硅二极管等。
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
根据本项目团队最新调研，预计2030年全球碳化硅分立器件产值达到11500百万美元，2024-2030年期间年复合增长率CAGR为19.2%。
SiC MOSFET模块目前主要有650V、750V、900V、1200V、1700V和3300V SiC Module，核心厂商主要是主要用于电动汽车领域。目前全球碳化硅SiC模块主要生产商包括STMicroelectronics、英飞凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、比亚迪、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric和Semikron Danfoss等，全球前三大产生占有大约70%的市场份额。
SiC MOSFET分立器件（单管）主要产品有650V, 750V, 900V, 1200V and 1700V分立器件。目前全球SiC MOSFET单管主要厂商有意法半导体、英飞凌、Wolfspeed和罗姆等，前五大厂商占有大约80%的市场份额。
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
SiC SBD用于提高电力转换系统的可靠性，例如电池充电，电动汽车和混合动力车的充电电路以及太阳能电池板。 此外，它还被用于X射线发生装置等高压设备。
目前主要是650V、1200V、1700V、3300V碳化硅肖特二极管。核心厂商主要有意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、安森美、微芯科技等，中国市场主要有三安光电、瑞能半导体科技股份有限公司等。
根据不同产品类型，碳化硅分立器件细分为：碳化硅MOSFET、 碳化硅二极管、 碳化硅模块
根据碳化硅分立器件不同下游应用，本文重点关注以下领域：汽车领域、 充电桩、 工业电机、 PV/储能、 UPS/数据中心、 轨道交通、 其他应用
本文重点关注全球范围内碳化硅分立器件主要企业，包括：意法半导体、 英飞凌、 Wolfspeed、 罗姆、 安森美、 比亚迪半导体、 微芯科技、 三菱电机(Vincotech)、 赛米控丹佛斯、 富士电机、 Navitas (GeneSiC)、 东芝、 Qorvo (UnitedSiC)、 三安光电（三安集成）、 Littelfuse (IXYS)、 中电科55所（国基南方）、 瑞能半导体科技股份有限公司、 深圳基本半导体有限公司、 SemiQ、 Diodes Incorporated、 SanRex三社、 Alpha & Omega Semiconductor、 Bosch、 KEC、 强茂股份、 安世半导体、 威世科技、 株洲中车时代电气、 华润微电子、 斯达半导、 扬杰科技、 广东芯聚能半导体有限公司、 银河微电、 士兰微、 Cissoid、 SK powertech、 上海瞻芯电子科技有限公司、 中瓷电子、 苏州东微半导体股份有限公司、 华微电子、 派恩杰半导体(杭州)有限公司、 芯联集成
本文作者可以追加内容哦 !
