中国科研团队在半导体领域实现新进展

近日，山西师范大学许小红教授、王芳教授与中科院化学所薛丁江研究员共同合作，报道了一种自下而上合成CrSbSe3纳米带的模板选择策略，并实现了一维(1D)铁磁CrSbSe3纳米带的可控制备，纳米带表现出典型的半导体行为和铁磁性，证实了1D CrSbSe3半导体的本征铁磁性。

随着云计算技术的兴起，数据存储的规模和复杂性达到了前所未有的高度，并对存储技术提出了越来越严格的要求。磁性半导体作为一类新的自旋电子材料，具有同步实现逻辑运算、信息处理和存储的潜力。

因此，低维磁性半导体已成为纳米级自旋电子器件构建的必然趋势，旨在使器件尺寸最小化，实现高密度集成。然而，实现这种低维磁性半导体仍然面临诸多困难，特别是对于具有更高磁晶各向异性、更大长径比和更大纳米自旋电子器件潜力的1D铁磁半导体。