$三安光电(SH600703)$ WICV 2024：三安SiC MOSFET产品入选“汽车芯片优秀成果案例”
原创 MKT Team 三安半导体
2024年10月18日 18:25 北京 1人听过
2024世界智能网联汽车大会（WICV 2024）于10月17-20日在北京亦庄隆重举行。在此次大会上，由中国科技信息发布的“2024汽车芯片&软件优秀成果案例”评选结果揭晓，三安半导体的1200V 8m SiC MOSFET产品凭借其卓越性能和创新技术，成功入选。
随着智能网联汽车技术的飞速发展，汽车芯片领域正迎来前所未有的市场需求和技术革新。为反映这一领域的最新动态，中国科技信息在大会期间推出了“2024汽车芯片&软件优秀成果案例”表彰活动。该活动旨在通过企业自荐和联盟推荐的方式，综合评价技术领先性、产品创新点、市场竞争力等多个指标，为行业决策提供参考，促进产业合作，拓展市场平台。
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三安此次获奖的1200V 8m SiC MOSFET产品，采用创新技术，实现了业界超低的导通电阻，能够更大程度地降低开关损耗。这使得该产品非常适用于高频电路，可减小应用系统的整体尺寸，提升效率，大幅提高开关频率。值得一提的是，该产品已广泛应用于电机驱动、断路器、不间断电源等领域，其车规应用符合AEC-Q101标准，确保了在汽车电子领域的可靠性和稳定性。
此次获奖，不仅是对三安技术创新能力的认可，更是对其在汽车电子领域持续投入和努力的肯定。三安将继续致力于研发高性能、高可靠性的功率半导体产品，推动汽车电子技术的发展，助力汽车产业的电动化转型。
关于三安半导体
湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电（SH600703）的全资子公司，是一家专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务的制造商。
公司主要从事宽禁带半导体的研发、设计、制造、销售和服务，产品与服务包括SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延片、车规级SiC功率模块代工等，核心性能及可靠性符合行业高品质标准，服务于新能源汽车、直流充电桩、光伏储能、工业电源、家用电器、消费电子等领域的全球超800家客户，SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗。
三安拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，能提供长晶、衬底制备、外延生长、芯片制造、封测全流程服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控；且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力，可有力保障供应，满足市场需求。
三安具备专业领先水平的半导体研发制造团队，团队核心从事化合物半导体技术20余年，研发和产业化多代宽禁带半导体产品，先后通过ISO9001、IATF16949、QC080000、ISO14001、ISO45001、ISO27001、ISO22301、ANSI/ESD S 20.20、SA8000管理体系认证，并导入VDA6.3过程审核方法，SiC MOSFET/SBD产品已获得AEC-Q101车规级认证。
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