红红火火

$中微公司(SH688012)$  关于中微公司必将涨到250元以上的内在逻辑。买到直接到250元。

SiC行业动态和发展趋势？过去十年积极收购、整合，大量投资的过程，2009-2021年，天科合达投衬底，山东天岳投资建设SiC半导体项目，三安投资160亿开发半导体产业化项目，过去投资活跃，收购战略合作关系，欧美日三足鼎立，中国快速追赶。预期26年亚太地区占据SiC市场重要份额，中国、日本、印度、韩国是亚太地区电动车和混动车主要市场，2019年中国占了全球电动车销售47%份额，美国SiC全球份额最大，全球SiC70-80%是美国的，科锐，iivi,道康宁。全球电力电子市场，比较大的话语权是碳化硅的器件、设计开发方面是领先的，主要是瑞典的Siltronic,ST,英飞凌，日本主导的是GaN,在设备和模块开发方面领先，松下、罗姆,住友电器，三菱,富士电器，中国主要是天科合达，山东天岳，东莞天域等，SiC的规模2020年全球SiC衬底2.08亿美元，衬底格局还是以美国为主，cree岀货量占了全球45%,对比未来几年发展，大概整个44%的CAGR,预测SiC市场规模大概在2025年约为16亿美元。Yole预计2020-2026年CAGR36%,到26年是45亿美元，其中主要驱动力是2023年电动汽车市场快速爆发，驱动SiC功率器件市场急速增长。SiC衬底上的GaN在射频领域基本已经取代了LDMOS和碑化镣。GaN市场规模26年大概是24亿美元，CAGR18%,其中主要是Si基GaN,占了90%以上市场。21年国内碳中和，碳达峰，SiC产业崛起，替代趋势明显，国内SiC产业相对国外缓慢，但是国内政策扶持，21年一个季度新增的SiC投资金额达到了2020年全年水平，到了前十年5倍的体量。现在整个SiC在中国属于增长前期，后面扩产完增量会比较快。英飞凌主要是奥地利的半导体新工厂，2022年已经投产了，现在投资24亿欧元扩产能。国内SiC水平，SiC衬底主要应用有6个环节，一个是SiC的单晶片到外延片，单晶制备，还有芯片设计，制造，后面的封装，测试，最后到终端应用。设备有北方华创，中微公司，衬底和外延天科合达，山东天岳，瀚天天成，东莞天域，包括设计公司，瑞能，士兰微，中车时代，比亚迪。国际和台湾产业链来看，wolfspeed和Rohm从衬底到封测者所故，IDM,道康宁，昭和电工，iivi,英飞凌做从设计到封测，从设备角度，SiC在制程上，与大部分Si环节相同，由于硬度高，需要高温离子注入机，高温退火等设备，高温离子注入机是比较重要的设备，国内很多企业在做SiC的生长炉，华创，露笑，SiC的切片，还有SiC功率的一些外延反应器的设备厂商，现在上游材料持续加码追赶国际，SiC衬底市场格局还是cree的市场份额是最大的。在SiC制造成本衬底也是最高的，47%,外延23%,其他环节大概30%左右，衬底成本下降是提高SiC渗透率的决定因素。Si晶圆8到12寸，SiC主流尺寸6英寸，每一片晶圆能制造的芯片数量不多，满足不了需求，我们看到的产业联盟预估，4英寸逐步减少，国内从10万片减少到5万片，6英寸从8万片增长到20万片。Cree计划在2024年8英寸SiC工厂量产，英飞凌2025年计划量产8英寸SiC器件。现在国内也在加码，合肥露笑也在做SiC的设备，长晶生产。材料端，国内材料端扩产，跟国外的差距，现在看来，大概有5年左右的差距，从SiC衬底尺寸升级差距，从一个尺寸到更大尺寸需要5年时间。外延质量也影响器件生产，外延是在SiC衬底上长单晶薄膜，不可避免产生缺陷导致衬底材料和表面质量下降，影响器件性能,外延层长好后可以使得晶格排列更好，也是长外延层的主要目的。下游应用端驱动，SiC衬底前景光明，最主要来自于新能源汽车驱动，目前导电型衬底市场比较开阔，应用非常广。

$晶赛科技(SZ871981)$