产业链新机遇 第三代半导体研发实现突破

据报道，近日，中国松山湖材料实验室的第三代半导体研究团队与西安电子科技大学及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2-6英寸AlN（氮化铝）单晶复合衬底制备了高性能GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管）。得益于AlN单晶复合衬底的材料优势，AlGaN缓冲层厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圆翘曲。这一进展标志着我国在新一代半导体技术的研发和应用方面迈出了坚实的一步。

这一技术突破不仅提升了GaN HEMTs器件的应用前景，同时也为未来高功率电子设备的广泛应用提供了可能性。随着对功率电子元件需求的不断增长，在新能源汽车、5G基站、卫星通信等领域，GaN HEMTs将发挥越来越重要的作用。当前市场对高性能半导体元件的需求正在持续上升，产品的多样化也为与这类新型材料相关的产业链带来了新的机遇。

A股公司中，力源信息（300184）与上游芯片原厂安森美半导体建立的碳化硅应用联合实验室一直专注于第三代半导体碳化硅功率器件及其应用方案。

乾照光电（300102）与深圳第三代半导体研究院全方位多层次深度合作，研发氮化镓等相关技术及应用。