东方钽业半导体领域飞跃式发展

当前，中国集成电路及电子行业领域奋起追赶，对高端材料的要求提到了战略高度。钽具有高导电性、高热稳定性和对外来原子的阻挡作用，故用溅射镀膜法在集成电路上镀上钽膜，可防止铜向基体硅中扩散。钽靶材主要用于半导体及光学领域。以纯度在99.99%以上的钽为原料制作的靶材即为高纯钽靶材。在中国，能生产出溅射靶材用高纯钽原料的厂家并不多，主要依赖进口，进口商包括全球最大的半导体溅射靶材厂商日本JX日矿，以及全球领先企业美国GAM。

要解决国内高纯钽靶一直依赖进口的问题，首先要解决钽金属的纯度问题，进而解决钽靶材国产化的技术障碍。近年来，公司不断加大关键核心技术攻关力度，半导体靶材用超高纯冶金级钽粉销量实现“飞跃式”增长，改变了中国集成电路材料完全依赖进口的局面。

同时，面向半导体用大尺寸钽靶坯，公司在2023年全力推进12英寸钽靶坯的研发、认证评价工作，重点推进半导体用钽靶坯等产品的产业化，已完成试验样测试评价并实现批量销售。

公司指出，高纯钽靶材及钽粉未来将成为公司新的业绩增长点。从国内半导体行业发展来看，随着世界步入数字化时代，半导体行业正处于变革性突飞猛进的关键时期，同时在我国政策支持和不断攀升的市场需求双重推动下，将为公司提供更多开拓更广阔市场的机会。

超导领域巩固全球第一优势

铌金属具有超导性能优异的特点，是粒子加速器中铌超导腔的核心材料，主要应用于高能同步辐射光源（HEPS）、加速器驱动嬗变研究装置（CiADS）、硬X射线自由电子激光装置（SHINE）、强流重离子加速器装置（HIAF）等国家大科学装置，是国家重点支持产业。

高能物理研究、同步辐射光源以及自由电子激光等新一代物理、化学、生物、材料综合研究平台在国家层面持续规划落地，其使用的粒子加速器的核心部件的关键材料的超导铌材及铌超导腔的需求不断增大。根据SHINE、CiADS和HIAF等在建项目设计规划，5年内对各类超导腔的需求共计859支，其中SHINE项目所需超导腔700余支计划2025年完成。

凭借行业领先的技术，目前东方钽业超导铌材国内市场占有率80%左右，全球市场占有率60%左右；铌超导腔国内市场占有率40%左右。面向广阔的需求，东方钽业的铌超导腔有望成为业务新增长点，且具有高毛利的特点，公司持续扩大产能。

公司子公司正在实施定增项目“年产100支铌超导腔生产线技术改造项目”，提升关键材料国产化保障能力和公司行业综合实力，又在2024年8月宣布拟实施“新增年产400支铌超导腔智能生产线建设项目”，从而提升公司铌超导腔的技术研发、质量保证和生产保障能力，扩大产品市场占有率。项目建设完成后，公司铌超导腔总产能进一步达到500支/年，将助力国家大科学装置建设。