云南中科鑫圆晶体材料有限公司总经理
惠峰，男，1984年8月毕业于电子工程系，自大学毕业一直从事研制国防军工器件和电路需要的高质量砷化镓、磷化铟及锗单晶工作。
惠峰，男。1984年8月毕业于电子工程系，自大学毕业一直从事研制国防军工器件和电路需要的高质量砷化镓、磷化铟及锗单晶工作。做为重大项目负责人，带领课题组先后完成了国家“八.五”、“九.五”重点科技攻关、“十.五”国家八六三计划重大项目，北京市重大科技项目等10多项科研和产业化任务，解决了晶体生长中热场设计、提高单晶率；优化晶体生长和晶片加工工艺条件及批量生长的重复性等一系列关键工艺技术，多次获得中科院科技进步二、三等奖；实用化生产高质量的砷化镓、磷化铟及锗单晶，达到当代国际同类商品先进水平。用这些材料研制的砷化镓、磷化铟及锗器件和电路广泛应用于国防军工工程。于1988年、 1993年、 1997年分别破格聘任为助理研究员、副研究员、研究员。任中国科学院半导体研究所学术委员会委员，SEMI中国标准委会材料分会委员，中国电子材料行业协会委员；1993年12月获中国科学院优秀青年，2000年获得国务院颁发的政府特殊津贴。
成就荣誉2002年-2005年任中科镓英半导体有限公司总经理助理，筹建投资1.5亿元砷化镓单晶产业化建设项目 ，负责从可行性研究报告、初步设计、施工图到工程建设生产线总体工艺设计及生产线设备安装调试、试生产。建成拥有自主知识产权具有国际先进水平砷化镓单晶产业化平台，产品80%出口国际市场。2007年—至今，担任云南中科鑫圆晶体材料有限公司总经理。开展高效率太阳能电池用锗单晶及晶片研究，掌握了高效率太阳能电池用锗单晶炉设计、制造及单晶生长热场设计、单晶生长工艺等核心技术。已研制出3英寸、4英寸太阳能锗单晶送国内权威检测机构--信息产业部专用材料质量监督检测中心检测，检测的参数指标达到国防客户要求指标和美国AXT公司指标 。
现已建立了年产5万片开盒即用锗晶片加工中试线，开展了太阳能电池用3、4英寸开盒即用锗晶片加工工艺研究。研究高平整度超薄锗片线切割和研磨技术, 研究高平整度超薄锗片化学机械抛光-单面化学抛光工艺技术，研究高清洁度锗抛光晶片清洗封装技术。实现了开盒即用锗晶片切磨抛关键工艺技术突破，达到国内外客户要求，为VGF法锗单晶及开盒即用锗晶片大规模产业化奠定了坚实的基础。