凭借其卓越的亮度、对比度、能耗效率及超长寿命，Micro LED已成为显示技术领域的一个重要发展趋向。然而，尽管前景广阔，Micro LED仍面临芯片制造、巨量转移技术及全彩化等方面的技术瓶颈，导致生产成本高昂，尚未实现广泛商业化。尽管面临诸多挑战，Micro LED的未来发展前景依然被看好，随着技术难题的逐步解决和生产成本的降低，Micro LED有望成为下一代主流的显示技术。
进入12月，兆驰半导体又有4项与Micro LED相关的专利获得公布或进入授权阶段。以下是具体专利信息：
“一种蓝光Micro-LED的外延片及其制备方法”
12月10日，该专利进入授权阶段。
本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种蓝光Micro LED的外延片及其制备方法，外延片中多量子阱发光层包括依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层，第二浅蓝光多量子阱层，第三蓝光多量子阱层和第四浅蓝光多量子阱层；第一浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第一InGaN多量子阱层与第一多量子阱复合垒层的超晶格结构；第二浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第二InGaN多量子阱层与第二多量子阱复合垒层的超晶格结构；第三蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第三InGaN多量子阱层与Si掺GaN多量子垒层的超晶格结构；第四浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第四InGaN多量子阱层与的超晶格结构。
实施本发明，可提高Micro LED在低工作电流密度下的光效、良率。
“一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法”
12月10日，该专利进入授权阶段。
本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种蓝光Micro LED的外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱子层，第二浅蓝光多量子阱子层，第三蓝光多量子阱子层和第四浅蓝光多量子阱子层，其中每层子层均为InGaN多量子阱层与多量子垒层的超晶格结构。
实施本发明，可降低生长InGaN量子阱时的应力，显著改善多量子阱发光层的质量，同时提高P型半导体层的空穴注入效率，从而提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro LED。
“一种Micro-LED的外延结构及其制备方法”
12月3日，该专利进入授权阶段。
本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种Micro LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。
在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高Micro LED的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。
“低电压Micro-LED外延片及其制备方法”
Micro LED专利的公布和授权，不仅展示了兆驰半导体在新型显示技术领域的深厚积累和创新能力，也为Micro LED技术的进一步发展和商业化应用奠定了坚实基础。
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