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$中芯国际(HK|00981)$   

中芯国际近期公开了多项新专利,部分如下:

2025年1月14日

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得一项名为“光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法”的专利,授权公告号CN 112445059 B,申请日期为2019年9月。

2025年1月1日

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请的一项名为“半导体结构及其形成方法”的发明专利正式公开,专利号为CN202310779118.8,该专利涉及一种新型半导体结构,旨在提升闪存器件的性能稳定性。

2024年12月31日

中芯国际集成电路制造(天津)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司及中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请的一项名为“GOI测试结构”的发明专利,预计将于2024年12月31日正式公开,该专利涉及一种新型的GOI测试结构,主要用于集成电路制造过程中的质量检测。

2024年12月25日

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“存储单元、存储器及其工作方法”的专利,公开号CN 119170073 A,申请日期为2023年6月。

2024年12月23日

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请了一项名为“闪存结构及其形成方法”的专利,公开号CN119156008A,该专利申请日期为2023年6月。

2024年12月23日

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司和中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“电源芯片结构、电源晶圆结构、芯片结构及它们的形成方法”的专利,公开号 CN 119156125 A,申请日期为 2023 年 6 月。

2024年12月21日

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号 CN 119153436 A,申请日期为2023年6月。

2024年12月21日

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司向国家知识产权局申请的一项名为“单端读取电路、存储器及其读取方法”的专利正式公布,该专利申请于2023年6月提交。

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