三、技术进展与市场地位

1. 量产与研发进展

- 2.5D封装：2024年四季度完成通线，目前与客户联合开发AI芯片封装项目，预计2025年Q3实现量产。

- FC-BGA技术：已实现12层基板（7-2-7结构）量产，Bump Pitch 130μm，计划2025年突破90μm，适配AMD MI300X等高端GPU封装。

2. 行业竞争力

- 技术壁垒：甬矽电子是国内少数同时掌握Fan-out、2.5D/3D封装及RDL技术的厂商，其FHBSAP平台技术参数对标台积电CoWoS的“S、R”分类，部分指标（如TSV密度）达到国际领先水平。

- 客户资源：已进入联发科、紫光展锐、华为海思等头部设计公司供应链，AI芯片封装订单占比从2023年的15%提升至2024年的30%。

四、总结

甬矽电子在先进封装互连线技术（如2.5D/3D封装、RDL、TSV）和高速SerDes封装适配方面已具备显著技术能力，其FHBSAP平台可满足AI芯片、HBM、光模块等高端应用的高密度互连需求。尽管未直接涉足SerDes芯片设计，但其封装工艺通过信号完整性优化、电磁屏蔽及协同设计，为SerDes芯片提供了高性能载体。未来，随着2.5D封装量产和CPO技术的推进，甬矽电子有望在高速互连领域进一步巩固市场地位。