$通富微电(SZ002156)$  长鑫存储和通富微电是深度的战略合作伙伴关系。二者在半导体产业链中处于不同环节，通过合作实现了优势互补，具体如下：

• 技术研发合作：双方联合研发前沿技术，如HBM封装技术。通富微电在2.5D封装技术上取得显著成果，良率超99%，新建产能剑指每月10万片，硅通孔密度达到每平方厘米10的6次方个，有力推动了HBM技术发展。目前双方合作开发的HBM封装技术已进入客户验证阶段。

• 产品量产合作：通富微电为长鑫存储提供成熟的封装测试服务。2025年Q2，通富微电为长鑫存储封装的DDR5内存在数据中心客户的测试中，性能比上一代提升40%，功耗降低25%。此外，通富微电还为长鑫存储提供HBM3封装，2025年实现12层堆叠技术，带宽达819GB/s，应用于英伟达AI显卡，年产能300万颗，良率98.5%。

• 市场与产业协同：2025年二季度，长鑫存储已成为通富微电的第一大客户，同期来自长鑫的存储封测订单占比高达45%。为对接长鑫新增订单，通富微电计划投资25亿元建设“先进存储封测产线”，并明确“未来三年将存储封测产能扩大3倍”的目标，随着长鑫产能扩张与HBM量产推进，相关业务增长路径清晰。