国产二维半导体芯片最新进展

截至 2026年4月，复旦大学（周鹏/刘春森团队）在二维半导体芯片领域已从实验室原型 → 工程化验证 → 示范产线建设，全球领先。

1. 逻辑芯片：「无极」32位处理器（2025.4）

• 全球首款 32位 RISC-V 二维半导体 CPU

• 材料：单层二硫化钼（0.7nm，3个原子层）

• 集成 5900 个晶体管（国际此前纪录：115个，提升51倍）

• 已在《Nature》发表，完成系统级功能验证

2. 闪存芯片：「长缨」二维-硅混合闪存（2025.10 → 2026.3 工程化）

• 全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片

• 速度：400 皮秒擦写（比传统闪存快约 100万倍）

• 良率：94.3%（达工业量产标准）

• 可70%复用现有硅产线，仅新增3–5步二维工艺

3. 最新进展：工程化落地（2026.3）

• 2026.3.28：「长缨」闪存完成工程化验证

• 国内首条二维半导体示范线（上海浦东）已点亮

2026.6：全线通线

2026底：等效 90nm 制程

2027：等效 28nm

2028：冲击等效 5nm/3nm

• 目标：3–5年内百万量级集成，用于AI/边缘计算

4. 核心突破（为什么复旦领先）

• 混合架构：二维材料做高速存储，硅基做控制，兼容现有产线

• 原子级界面+AI工艺优化，解决良率与均匀性难题

• 低功耗：每比特写入能耗 0.644 pJ（比传统闪存低100倍）