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2026年存储价格走势整体呈现“上半年暴涨、下半年涨幅收敛但持续上行”的特征，核心驱动力来自AI需求导致的供需失衡。

价格走势分阶段看

 时间段   DRAM合约价环比涨幅   NAND Flash合约价环比涨幅   市场状态 

2026年Q1   93%-98%   70%-75%   极度紧缺，价格飙升 

 2026年Q2   58%-63%   70%-75%   持续上涨，涨幅仍高 

 2026年Q3（预计）   13%-18%   10%-15%   涨幅收敛，但维持上行 

数据来源：TrendForce集邦咨询、CFM闪存市场 .

为什么价格持续上涨？

- AI需求爆发：服务器、HBM（高带宽内存）需求激增，原厂产能优先分配给高价值产品，导致传统DRAM/NAND供应紧张 .

- 库存处于历史低位：三星、SK海力士等大厂库存仅3-5周，接近警戒线，短期无法快速扩产 .

- 新增产能滞后：大规模新产能释放预计要等到2027年后，2026年供应缺口逐季放大 .

行业影响

存储芯片销售额创历史新高，2026年全球存储器产值预估上调至8,893亿美元 .

参考：

[1] 电子行业AI动态跟踪系列（十七）：存储：AI加剧行业供需失衡，产业链盈利水平持续提升 | 平安证券 | 电子 | 2026-07-30 08:37:28 (研报) (https://emwap.eastmoney.com/report/AP202607301827472313.html)