智能手机市场:5G带动智能手机更换需求,出货量&容量同步提升

5G通信带来的换机潮助推手机出货量与单机搭载NAND Flash容量提升。5G通信增加了存储的复杂程度,每台移动设备生成和消耗的数据量都是当前设备的数倍,总结而言,5G移动设备的主要存储趋势包括:1)提高顺序读取/写入速度和带宽功能;2)大部分5G手机NAND容量为128G起,较64G手机提升一倍,且提供256GB、512GB甚至更大存储选择。2020年底,华为、苹果、OPPO、荣耀、VIVO等智能手机平均容量超过100GB,同时智能手机整体平均容量也在2020年首次突破100GB;3)采用存储容量更高且成本更低的TLC、QLC产品。另一方面,5G通信也加速了消费者对智能手机的更换需求,5G手机出货整体保持上升趋势:2021年1-9月,5G手机出货量1.83亿部,同比增长70.4%,占同期手机出货量的73.8%。并且据中国通信院数据,2020年国内市场5G手机上市新机型累计218款,占所有新机型47.2%。我们预计伴随着5G手机的渗透率稳步提升,NAND Flash整体市场有望受益于手机出货量与单机搭载NAND容量双重提升迎来快速发展。据Counterpoint预测,2025年移动设备的NAND闪存消耗量将是2021年的三倍,中国闪存市场数据预测2020-2022E NAND Flash总存储容量复合增速将达30%。

图表26:3Q19-3Q21中国5G手机出货量及占比

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资料来源:中国信通院,中金公司研究部

图表27:2013-2022E全球单个3D NAND闪存颗粒容量及预测

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资料来源:China Flash Market,中金公司研究部

图表28:2016-2022E全球NAND Flash总储存容量及预测


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资料来源:智研咨询,China Flash Market,中金公司研究部

NOR Flash:新兴下游应用打开NOR Flash市场空间

随着功能手机数量下降,2006-2016年NOR Flash 市场规模处于下降周期。智能手机不断替代功能手机,而智能手机需要更大容量的存储芯片,NAND Flash在高容量下比NOR Flash更有成本优势,NOR Flash市场份额逐渐被NAND Flash替代。除了功能手机外,应用于PC的BIOS的存储空间较小,通常在1-32MB左右,单芯片价值较低,其他NOR Flash电子产品数量不足以补充其ASP低的缺点,因此NOR Flash市场空间不断下降。根据CINNO Research统计,NOR Flash市场规模从2006年的73.3亿美元下降至2016年的18.6亿美元。

众多新兴下游应用出现,NOR Flash市场迎来复苏。近年来,随着物联网、可穿戴设备、智能手机的TDDI和AMOLED、5G、汽车电子等为主的新兴应用领域发展迅速,NOR Flash市场规模也随下游应用的拓展打开增量空间。根据CINNO Research预测,NOR Flash市场规模有望从2020年的25亿美元增长至2026年的42亿美元,其年复合增长率为9%。根据Maia Research统计,2018年通讯、消费电子和车载电子是主要的NOR Flash下游应用,分别占30%,26%和18%。

图表29:2006-2026年全球NOR Flash市场规模

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资料来源:CINNO Research,中金公司研究部

图表30:2018年全球NOR Flash应用占比

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资料来源:Maia Research,中金公司研究部

物联网与可穿戴设备提升中小容量NOR Flash需求

在物联网领域,处理器芯片搭配NOR Flash成为主流方案。针对物联网设备而言,其主要需求为网络连接功能与计算能力,对存储容量的需求不高,若采用传统内存处理方案“处理器芯片+ DRAM+ NAND Flash”,需要用到两颗存储芯片,且DRAM的价格较高,因此整体方案的成本高昂。目前主流的物联网模块是采用处理芯片加一颗几兆到几百兆容量NOR Flash,该方案的成本相比传统方案更低。除了容量和成本因素,物联网应用也受到设计尺寸的限制,减小或去除DRAM是一种常用方法,而搭载NOR Flash方案仅需一颗存储芯片,同样能实现设计尺寸的减小。我们预计“处理器芯片+NOR Flash”方案将会在物联网领域得到广泛应用,NOR Flash市场规模有望提升。

图表31:物联网模块内存方案

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资料来源:智研咨询,中金公司研究部

TWS耳机需求量持续增长,NOR Flash数量和容量需求均有所提升。数量方面:根据Countepoint数据,2020年全球TWS耳机销量超预期增长,达到2.3亿部,同比增长78%;2021年TWS耳机销售预计高达3.1亿部,同比增长33%。2021苹果Airpods占比预计从31%降到27%,安卓TWS耳机将迎来更多增长。安卓TWS耳机接力苹果Airpods,总需求量将持续快速增长,而NOR Flash作为TWS耳机内搭载的存储芯片,需求量也将迎来持续增长。容量方面:随着TWS耳机功能升级和性能提升,智研咨询认为NOR Flash 的容量需求有望进一步增大,由最早的 8Mb-16Mb,提高至32Mb-128Mb甚至到256Mb。目前苹果Airpods用的是128-256Mb的NOR Flash,安卓TWS耳机主要用的是4-64Mb的NOR Flash。此外,目前安卓TWS耳机低端的需求增长趋势已放缓,而高端型号的需求在逐步上升,我们预计未来单个TWS平均搭载的NOR Flash容量将保持上升。

图表32:2020和2021年全球TWS耳机市场份额及预测

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资料来源:Counterpoint,中金公司研究部

智能手机AMOLED和TDDI带动小容量NOR Flash需求增加

AMOLED与TDDI有望增加小容量NOR Flash需求。1)AMOLED为主动矩阵有机发光二极体,是新一代显示技术,主要应用于智能手机与电视的显示屏。智能手机AMOLED屏幕为了解决亮度均匀性和残像问题(Mura现象),需要外挂一颗8Mb或16Mb的NOR Flash芯片存储外部光学补偿(Demura)所需代码。随着屏幕分辨率的增加,补偿数据量会增大,我们预计NOR Flash容量需求将会因此提升。2)TDDI是触控与显示驱动器集成,此前智能手机的触控和显示功能由两块芯片独立控制,而TDDI最大的特点是把这两个芯片整合进单一芯片中。TDDI芯片具备结构简单和节省成本的优势,但其中触控功能需要较大的编码容量,需要外挂一颗4-16Mb的NOR Flash进行存储。我们预计AMOLED和TDDI在智能手机领域的兴起将促进小容量NOR Flash的需求增长。

图表33:AMOLED示意图

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资料来源:TECH Design,中金公司研究部

图表34:TDDI示意图

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资料来源:G2G公司官网,中金公司研究部

5G基站与汽车电子提升大容量和高质量NOR Flash需求

5G基站需要配置多个大容量和高质量的NOR Flash。NOR Flash拥有高可靠性,读取数据快、低功耗、数据时间保持长的优势,广泛应用于5G基站中,与FPGA和SoC搭配,实现设备的快速启动。同时,NOR Flash的低功耗有利于缓解基站设施户外恶劣高温环境的散热问题,且部分NOR Flash已添加安全功能,可保证网络持续安全可用以及IP的安全性。每个5G基站大约需配置4-6颗512Mb的NOR Flash,且其质量需达到工业级温度要求(-40-105摄氏度)。

随ADAS车载系统渗透率提升和高端化演进,NOR Flash有望在汽车领域实现量价齐升。高级驾驶辅助系统(ADAS)是汽车电子安全系统和自动驾驶汽车的基础,可以监测物体并提醒驾驶员出现的危险情况,实现自动减慢车速的场景。NOR Flash拥有即时启动特性,可以解决ADAS系统上电缓慢的弊端,主要用于ADAS摄像头和仪表盘中储存BIOS/程序码。容量方面:单个ADAS系统需要一颗或多颗32-128Mb容量的NOR Flash,更高端ADAS系统则需要1Gb的容量。质量方面:车规级NOR Flash需要通过严苛的AEC-Q100认证,而汽车领域要求相对最低的部件对温度要求也需要达到为-40-85摄氏度,最严苛的要求则需满足-40~150摄氏度。

图表35:5G基站示意图

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资料来源:Electronic Design,中金公司研究部

图表36:汽车ADAS系统示意图

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资料来源:Cypress官网,中金公司研究部

行业特征&公司分析:高技术及资金投入壁垒,制造工艺&产能或为核心竞争力

行业集中度高,高资本及研发投入构筑行业壁垒

重资产、高投入构筑核心壁垒,竞争格局高度集中。对于占据存储器最大规模的DRAM而言,其供应主要由三星、SK海力士与美光三家公司垄断,2020年三大巨头市占率合计接近95%,而发展初期生产厂商由20世纪80年代内存生产厂家有四五十家到目前全球生产厂商不到十家,行业集中度不断提升。在此过程中,三星确立了龙头地位,其利用存储器行业的强周期特征,依靠政府资助,在价格下跌、产能过剩时逆周期扩张,以规模效应降低成本,使得众多厂商退出市场。在NAND Flash市场,2020年韩国三星、铠侠、西部数据、美光、海力士与英特尔六家厂商占据98%的份额。相对而言,Nor Flash市场相对分散,2020年主要由华邦、旺宏、兆易创新、赛普拉斯四大厂商占据3/4的份额,美光与三星已在逐步退出Nor Flash市场,以普冉、武汉新芯等为代表的国内新兴厂商开始占据一定市场份额。我们认为以DRAM、NAND Flash为代表的存储行业形成高度垄断的原因,主要系该行业所需的资本支出较大,需要投入到工艺的研发与制造上,已形成一定规模的企业可通过强大的规模效应降低成本,压低售价,促使其他小企业/新进入者难以盈利。因此对于存储行业而言,新进入者想要占据一定的市场规模,除了具备相应的设计、工艺、研发水平以及精益的制造水平,还需要具备强大的资金支持与相应的现金流保障,这一核心壁垒使得行业集中度高度集中,强者恒强的效应显著。

图表37:DRAM、NAND Flash和NOR Flash的市场规模与主要厂商市场份额

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资料来源:China Flash Market,CINNO Research,TrendForce,前瞻产业研究院,中金公司研究部

设计与制造工艺紧密结合,IDM模式有助于产业链协同

存储芯片公司在生产模式上分为三类,IDM、虚拟IDM与Fabless-Foundry。IDM模式指企业业务包含芯片设计、制造与封测全流程,内部资源整合,从IC设计到IC制造所需的时间较短,但需要自建产线,资金投入要求较高。虚拟IDM模式是指设计厂商拥有自己的工艺平台,晶圆制造厂能配合设计厂商导入特有的制造工艺和专用设备,但产线本身并非由设计厂商投入与生产。Fabless-Foundry是指芯片设计公司专注于IC设计,不具备制造能力,晶圆生产、芯片封装测试均通过委外方式实现,属于轻资产模式,但生产工艺受晶圆厂的技术限制。

存储龙头均为IDM模式,设计与工艺紧密结合助力产品开发

目前全球存储器行业龙头厂商均采用IDM模式,主要系技术竞争激烈且规模效应强,依靠大产能可有效降低成本,提高盈利能力。我们分析IDM模式可从收入与成本端两个维度有效提高存储行业厂商的盈利水平:

收入端:IDM模式有利于结合制造工艺/封测技术,提高高端产品的研发效率。对于存储芯片而言,设计与制造工艺的结合非常紧密,制造工艺的研发、封装技术的更新和设计是同步的,IDM厂商能更好的进行设计与制造的沟通与协同,可使设计的产品在制造工艺/封装技术处于领先,并且在效率上优于Fabless+ Foundry分工,尤其在技术演进的过渡时期优势更为明显。因此IDM厂商在推出高端性能/高容量产品的时效上更高,可通过提高高端产品竞争力与营收占比,进而提升平均产品的售价与盈利水平。

成本端:IDM模式可根据需求与公司策略进行更为灵活的扩产计划,规模化生产有效降低制造成本。存储芯片产品的标准化属性强,且下游需求对于产品的价格敏感,当新一代存储产品开发完成后,IDM厂商可以结合下游需求灵活调整产能,以及实施相应的扩产计划。相对而言,Fabless厂商会受限于Foundry厂能供给的产能情况,当下游需求向好时,晶圆制造/封测的整体产能紧俏,Fabless厂商面临自身产品产能不足的风险。此外,IDM厂商覆盖较长的产业链环节,能有效提高利润留存率。IDM模式的公司体量大,规模化批量生产可进一步降低单位成本,提高毛利率。

三星、SK海力士、美光三大存储行业龙头均采用IDM模式生产,整体毛利率随行业的周期性变化。在存储器上行周期时,IDM厂商可达到50-65%毛利率,周期下行时,产品需求少,产能利用率较低,折旧压力高,毛利率下跌。

图表38:各经营模式公司存储产品的毛利率对比

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资料来源:公司官网,公司年报,中金公司研究部(注:SK海力士、美光与普冉90%以上的业务均为存储产品,此处毛利率采用的是总体毛利率;兆易创新北京君正中存在一定比例的其他业务,此处毛利率为存储产品的毛利率)

图表39:各经营模式公司营收及增速对比

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资料来源:公司官网,公司年报,中金公司研究部

Fabless厂商无需重资产投入产线,为中小规模厂商的起步方式

国内现有存储厂商大多仍采用Fabless模式,这是由资金规模与发展阶段所决定的。芯片制造环节为重资产模式,对前期资本积累要求较高,大多体量不足的公司在起步阶段均采用Fabless模式,与晶圆代工厂商保持密切合作以尽量保持良好产能供给。存储芯片中NOR Flash多采用45nm及以上的成熟制程,相较DRAM、NAND而言对于工艺与封装技术要求更为普适,IDM模式的优势相对弱化,我国兆易创新普冉股份采用Fabless的模式仍能在该细分市场取得一定份额。我们认为通过国内厂商通过NOR Flash细分领域的不断深耕有助于实现初期的体量扩大,有望为此后拓展产品线、投入更高的资产做准备。

虚拟IDM模式兼顾设计&工艺的结合与资本投入,或为良好的过渡模式

IDM模式需要高昂的资本投入,从Fabless进入IDM模式跨度较大,虚拟IDM是良好的过渡模式。虚拟IDM可以通过股权及战略合作的方式实现设计、制造与封测的产业链整合,其可在产线中安装自有设备、并提供相关人员支持,拥有特定的工艺或封测厂资源。在资金投入方面虚拟IDM模式远小于IDM模式,同时也降低Fabless公司转入时的风险。目前兆易创新公司与合肥长鑫的合作即是虚拟IDM的探索,可助力公司设计与工艺制造的紧密结合,同时兼顾现有的资本投入。

总结而言,我们认为存储芯片(以DRAM、Nand为主)需要工艺与设计的紧密结合提高产品研发效率,IDM是最佳经营模式;短期内,Fabless模式可帮助规模较小的公司灵活切入高成长赛道,并且针对Nor Flash市场,由于制程相对成熟、工艺更为普适,Fabless厂商可通过该细分市场实现体量扩大;虚拟IDM模式则是兼顾了资本投入与设计&工艺的结合,是Fabless转为IDM的良好过渡模式。

先进工艺技术/新型存储为行业带来新变局

随制程不断演进,先进EUV设备或为最终解决方案

主流DRAM厂商采用EUV技术实现进一步制程突破。目前主流厂商三星、海力士主要采用投入高昂的EUV(Extreme ultra-violet,极紫光)光刻机攻克下一代DRAM产品,三星目前已宣布开始量产EUV制程技术的DRAM,三星表示与上一代产品相比,每片晶圆的产能提高20%,每个芯片的功耗也能改善约20%。但对于DRAM另一巨头美光而言,其目前暂未引入EUV来提高制程,而是通过开创纳米制造工艺,将计算光刻和多重图案化相结合,以规避固有的光刻限制并提供了世界上第一个1DRAM节点,[1]根据韩媒《Korea Business》报道,美光的1制程DRAM与韩国三星的1z制程均相当于14纳米制程,而美光宣布推出量产时间较三星更早,但由于核心制程技术的不同,目前难以直接将两者的技术相比较。长期而言,随着制程进一步微缩,步入10nm以内的节点,EUV设备或为最终解决方案。

图表40:美光的1 DRAM产品较前一代产品节省了15%功耗

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资料来源:Micron,中金公司研究部

图表41:EUV是美光DRAM的未来潜在选择

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资料来源:Micron,中金公司研究部

3D NAND技术已成主流,对先进制程工艺的要求趋缓

为适应小体积、大容量等市场需求,NAND FLASH制造技术向3D技术发展。为确保能持续提供高容量、低成本的NAND Flash芯片的制程缩小,目前主要的解决方向为3D NAND存储单元技术与硅穿孔(TSV)技术。据2018年Tech Insights整理,除了三星、海力士、美光、东芝具备量产3D NAND外,我国长江存储是第五家有能力量产3D NAND的厂商。

图表42:3D NAND的结构示意图

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资料来源:半导体行业观察,中金公司研究部

图表43:硅穿孔(TSV)技术节省了MCU的封装打线

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资料来源:Toshiba(东芝),中金公司研究部

风险

下游需求不及预期:下游应用涉及智能手机、服务器、车用市场等多领域,若下游需求不如预期旺盛,则可能无法驱动厂商提高产能,面临出货量下降、存货堆积与资金链断裂的风险。

国内厂商设计/工艺进展不及预期:新产品的设计和量产需要依赖持续的资金和时间投入,若公司无法维持设计水平和工艺水平的先进性,则会面临市场竞争力下降的风险。

中美贸易摩擦加剧:若中美贸易摩擦风险加剧,则可能对国内存储产业的供应链安全及销售产生一定的影响。

[1]注:韩媒《Korea Business》

文章来源

本文摘自:2021年12月19日已经发布的《半导体存储器:产业转移塑新格局,技术&应用变革创新机遇》

彭 虎 SAC 执业证书编号:S0080521020001 SFC CE Ref:BRE806

石晓彬 SAC 执业证书编号:S0080521030001

唐宗其 SAC 执业证书编号:S0080521050014 SFC CE Ref:BRQ161

本文转载自《中金点睛》

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