几天前，“三代半风向”曾介绍了碳化硅热场材料国产化情况（.点这里.）；与此同时，碳化硅外延设备的国产化进程也在加快。
昨天，季华实验室也传来利好消息，他们的碳化硅外延设备国产化率高达85%。 此外，北方华创和纳设智能等已经量产交付了多台碳化硅外延设备，接下来我们给大家盘点一下国产碳化硅外延炉的进展。 季华实验室： 成功研制SiC外延装备 4月14日，季华实验室发布消息称，其大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备取得突破性进展；目前，研究人员正在进行紧张的工艺调试工作。
据介绍，该项目采用高稳定气体流场、压力场控制、感应加热、反应腔整机系统设计方案，结合自主开发的原位监控技术、在线清洗技术以及涂层材料和工艺，从而实现SiC外延的快速、高质量生长，同时提高设备运行的可靠性和稳定性。 此外，该设备核心部件全部采用国产的，整机国产化率超过85%。设备实现了首次近30小时的稳定运行，本底真空度、漏率、控温精度等相关指标达到国际先进水平，升温速率、最高工艺温度等部分指标领先国际先进水平。
目前，该设备已申请发明专利共计30余件，其中4件已获得专利授权，装备的主要功能和性能指标已达到设计要求。 3大企业、机构： SiC外延设备已获突破 除上述的季华实验室外，北方华创、纳设智能及姑苏实验室在碳化硅外延设备领域的研制也取得了突破性进展。 北方华创 2021年9月16日，北方华创在投资者互动平台表示，他们的碳化硅外延设备已实现市场销售，产品各项性能满足客户要求。
北方华创在SiC外延设备和技术的研发攻坚至今已有十余年积累，具有一支成熟的装备及晶体生长工艺的研发团队。截至目前，该公司的碳化硅外延设备已经卖了25台，在手订单50台。
纳设智能 2022年2月27日，深圳市纳设智能装备有限公司新制造车间成功出厂了高温化学气相沉积设备，该设备专门用于第三代半导体碳化硅芯片生产的外延生长环节，目前已获多家客户认可。 姑苏实验室 2021年6月30日，据《苏州日报》报道，姑苏实验室已经完成单片6英寸碳化硅设备的整体方案设计，“G2110项目”即将攻克碳化硅薄膜的制备设备难题，预计9月底将完成调试并试运行。 据介绍，姑苏实验室“第三代半导体碳化硅外延设备”项目由姑苏实验室与芯三代半导体科技（苏州）有限公司携手承担，于2020年底立项，项目总投资1.128亿元。
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