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1、介绍下公司目前碳化硅的总体情况。
答：公司刚完成 25.67 亿的非公开发行，募集资金已全部到位，接下来就是全力推进产能建设。目前我们已经到位的是 280 台长晶炉，有部分已经完成了前期的工艺安装调试，我们预计 7 月份大概能出产 500-1000 片,8 月出产 1000-2000 片。原本我们的实施计划可以再快一些，但受限于一些辅料耗材进口方面的影响。我们预计到2022 年底能实现月产能 5000 片的生产规模。目前公司募集资金已到位，公司将加速后期碳化硅产能铺设进程，随着后端相应的切磨抛进口设备到位，到明年 4 月份左右能实现月产能 1 万片，预计能够在 2023 年实现年产 20 万片的产能规划。
2、公司的碳化硅是否经过产业认证阶段。
答：公司从去年 10 月份就已经开始做器件端验证了，目前我们在 SBD 这一方面已经过了三轮验证，目前反馈的情况都很不错，公司的碳化硅衬底片在 SBD 这块应用已经比较成熟了。MOS 这块公司尚处于验证过程中。
3、各个产品的验证周期是怎么样的？
答：碳化硅两个应用：SBD（二极管）和 MOSFET（三极管）。二极管主要做开关，只需满足耐压要求，验证周期半年到一年。三极管做一部分开关和一部分功率器件，导致验证周期较长，需要一年到两年。
4、订单方面目前是怎么样的情况？
答：东莞天域 3 年 15 万片的订单，公司目前已经在分批量进行交付了，后续随着实际产能的逐步爬升，整体交付进度有望进一步加快。
5、公司碳化硅能否实现出口？
答：目前现状是全球碳化硅衬底都处于供不应求状态，国外衬底也是非常紧缺的，出口的市场是真实存在的。而且公司的衬底片产品参数都是对标国外贰陆公司的，不存在片子好差之分。未来随着公司设计产能的陆续达产，海外市场将会是公司重点考虑的一个方向。
6、碳化硅 MOS 取代 IGBT 请问怎么看？
答：如果不考虑快速响应，IGBT 比 MOSFET 具有成本优势，但是有反向恢复损耗。因此，对频率要求不高的场合，IGBT 可以存在。但是一旦 MOSFET 成本下降之后，就有可能取代 IGBT。
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