中国领跑第四代半导体材料，氧化镓专利居全球首位

电子发烧友网报道（文/李宁远）半导体材料的突破一直是推动半导体行业发展的一大助力，为了满足日益多元化的芯片需求，半导体材料从以硅、锗为代表的第一代半导体，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体逐步发展到以氮化镓、碳化硅为代表的第三代以及以氧化镓、氮化铝为代表的第四代半导体。目前以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体器件正发展得如火如荼，在商业化道路上高歌猛进。

与此同时，第四代半导体材料的研究也频频取得突破性进展。氧化镓，极具代表性的第四代半导体材料，本质是一种无机化合物，又名三氧化二镓。因其突出的特性在未来，极有可能成为高功率、大电压应用领域的主导材料。