2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”将于长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织筹办。论坛将围绕 “碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨。
以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置，是当前新型电力电子器件的研发主流。碳化硅功率器件是新能源时代的必然选择，其相关技术与产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域，以及智能汽车及充电桩、太阳能发电、风力发电等新能源领域具有广阔的市场。随着器件的小型化与对效率要求提升，采用化合物半导体制成的电力电子器件可覆盖大功率、高频与全控型领域，
本届论坛，复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长张清纯受邀将出席论坛，并带来《碳化硅器件微型化现状及发展趋势》的主题报告。
张清纯，复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长。长期从事SiC器件的研发和产业化，研究方向涉及半导体物理与器件；宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用；器件模拟及仿真；电力系统等。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。
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