以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置，是当前新型电力电子器件的研发主流。碳化硅功率器件是新能源时代的必然选择，其相关技术与产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域，以及智能汽车及充电桩、太阳能发电、风力发电等新能源领域具有广阔的市场。随着器件的小型化与对效率要求提升，采用化合物半导体制成的电力电子器件可覆盖大功率、高频与全控型领域。
开幕大会现场
2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。
开幕大会上，复旦大学教授，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长张清纯带来《碳化硅器件微型化现状及发展趋势》的大会主题报告。详细分享了碳化硅器件微型化解决办法与挑战，国际碳化硅器件微型化进展等。
张清纯教授指出，碳化硅器件微型化与器件成本、成品率等息息相关，其技术涉及超级结，电阻等。国内外碳化硅半导体技术来看，平面栅与沟槽栅当前技术水平相当，沟槽栅结构潜力更大。国内SiC MOSFET以平面栅结构为主，CREE MOSFET与ROHM MOSFET都有各自的芯片微型化发展过程。当前碳化硅器件微型化面临的挑战主要涉及制造工艺、热管理、鲁棒性、封装技术等方面。
张清纯教授认为，功率半导体具有广泛的应用前景，是新基建、实现双碳目标的战略技术，得到了国家政策层面的极大关注。新能源汽车与光伏是推动碳化硅器件发展的重大推手，国内碳化硅产业链比较完善，设计和制造进展快速，器件特性达到或接近国际领先水平。碳化硅器件微型化显著降低芯片成本，进一步促进碳化硅技术在新能源领域的大规模应用。
报告中透露，清纯半导体第二代国产碳化硅MOSFET比电阻已经达到目前国际同类产品技术水平，车规级可靠性考核进展良好。
》》嘉宾简介
张清纯，复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长。长期从事SiC器件的研发和产业化，研究方向涉及半导体物理与器件；宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用；器件模拟及仿真；电力系统等。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。
备注：上述嘉宾观点未经其本人确认，仅根据现场素材整理，如有出入请谅解！详情可点击下方二维码观看开幕大会报告回放。
—— 特别鸣谢 ——
—— 部分展示交流瞬间——
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——开幕大会回看——
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CASICON 系列活动简介
“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”等形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。
CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。2023年长沙站已经成功召开，上海站、西安站、北京站、成都站等巡回站点活动正在筹备中。详情点击：第三代半导体产业 公众号-发消息，咨询合作事宜。
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