先进封装材料,是未来几年的一个大主线,会跑出来很多alpha!
转自半导体行业观察:
AMD 的MI300 是世界上最令人难以置信的先进封装形式。有超过 100 块硅粘在一起,全部位于使用 TSMC 的 CoWoS-S 技术的破纪录的 3.5x 光罩硅中介层之上。这种硅的范围从 HBM 存储层到有源中介层以进行计算,再到用于结构支持的空白硅。这个巨大的中介层几乎是 NVIDIA H100 上中介层的两倍。MI300 的封装工艺流程非常复杂,是行业的未来。
复杂的封装需要 AMD 的重大灵活性和修改才能按时获得 MI300。最初的设计是使用采用台积电CoWoS-R技术的有机再分布层 (RDL) 中介层。事实上,台积电去年确实推出了CoWoS-R测试封装,其结构与小米300有着惊人的相似之处。可能由于具有如此大尺寸的有机中介层的翘曲和热稳定性问题而改变了中介层材料。
AID 以 9um 间距与 SoIC gen 1 混合键合到 XCD 和 CCD。由于工艺不成熟,AMD 不得不放弃转向TSMC 的 SoIC gen 2 的计划,该 SoIC 的间距为 6um 。然后将它们封装在 CoW 无源中介层之上。通过这个过程有十几块支撑硅片。最终的 MI300 包含传统的倒装芯片质量回流和 TCB 以及晶圆上的芯片、晶圆上的晶圆和晶圆上的重构晶圆混合键合。
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