第四代半导体材料二硫化钼（MoS2）性能更优。近日，美国多家媒体报道，美国麻省理工学院(MIT)研究团队带来了一种新的芯片技术，一种基于二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管。这种芯片尺寸更小，性能也更好，这种技术将颠覆现有的芯片技术icon。在半导体领域取得革命性突破。
众所周知，传统芯片晶体管都是采用硅材料，硅基芯片很容易产生隧穿效应。当芯片进入7nm、5nm时代，容易导致芯片发热、降频，影响终端的续航。
通过这种材料生产的芯片，功耗、芯片体积都能降到原来的千分之一，性能将会大幅提升！