集微网消息,2023年6月,集成电路领域签约、开工的项目数量皆超20个,与上月基本持平;封顶/竣工项目数量超7个,较上月环比降低67%。6月集成电路领域重要项目进展情况如下:
超21个项目签约,分布于“鄂苏渝浙鲁川豫”等8省(直辖市),包括同兴达半导体封装项目、三安意法8英寸碳化硅项目、同济大学第四代半导体氧化镓材料项目等;
超20个项目开工,涉及“津粤苏皖辽沪赣浙渝湘京”11省(直辖市),包括芯视佳12英寸硅基OLED产业园、紫光车规级电子器件制造及配套项目、华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目、华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目等;
超7个项目封顶、竣工,包括长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目、广芯半导体封装基板项目等;
超11个项目投产、下线、量产,包括积塔半导体12英寸汽车芯片先导线、山东有研艾斯12英寸大硅片产业化项目、中芯集成三期12英寸中试线等。
【计划投资】
安世半导体封测厂扩建项目
6月12日,安世半导体(中国)有限公司封测厂扩建项目成功摘牌。
投资东莞消息显示,该项目由安世半导体(中国)有限公司投资建设,位于东莞市黄江镇,总投资30亿元,用地面积约173.44亩,其中涉及新增“工改工”用地约75亩成功摘牌。项目主要从事分立器件、模拟&逻辑ICs、功率MOSFETs等。
长电科技汽车芯片成品制造封测项目
6月26日,上海自贸区临港新片区重装备产业区J14-01地块完成挂牌交易,长电科技摘得该地块并签订成交确认书;29日,长电科技与中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管理委员会签订《上海市国有建设用地使用权出让合同》。
长电科技拟在园区建立长电汽车芯片成品制造封测项目,占地面积约214亩。项目产品涵盖半导体新四化领域的智能驾舱、智能互联、安全传感器以及模块封装类型,全面覆盖传统封装以及面向未来的模块封装以及系统级封装产品。
长飞先进武汉光谷第二基地
6月26日,长飞光纤发布《关于对外投资的公告》,子公司安徽长飞先进半导体有限公司拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。
根据公告,该项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线,建设完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力。该项目同时将建设第三代半导体科技创新中心,用于跟进第三代半导体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。
【签约】
同兴达半导体封装项目
6月7日,2023昆山市(深圳)招商推介会举行。昆山千灯镇共签约项目4个,其中包括同兴达半导体封装项目。
据悉,深圳同兴达科技股份有限公司计划在千灯镇与日月光(昆山)半导体有限公司合作,投资兴建先进封装技术的Gold Bump(金凸块)封测工厂,产品应用于集成电路封装技术及光电组件的对外连接,属于集成电路产业重要组成部分。该项目预计总投资30亿元,其中一期总投资9.8亿元,达产后产值预计32亿元,其中一期产值预计9亿元,金凸块生产规模将处于全国领先地位。
三安意法8英寸碳化硅项目
6月8日,三安光电股份有限公司与意法半导体集团在渝签署重庆市三安意法碳化硅项目合作协议。
据悉,双方将在重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产,预计将于2028年全面落成,届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。同时,三安光电将利用自有SiC衬底工艺,单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂,以满足该合资厂的衬底需求。
同济大学第四代半导体氧化镓材料项目
6月20日,同济大学第四代半导体氧化镓材料项目签约无锡高新区。
该项目重点实施“氧化镓晶体制造、装备和工艺技术”“蓝宝石晶体制造、装备和工艺技术”和“磁光晶体制造、装备和工艺技术”等“卡脖子”项目的研发与产业化,建设“人工晶体生长”“精密光学加工”“检测装备与技术”等公共服务平台,建立院士工作站,挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
【开工】
芯视佳12英寸硅基OLED产业园
6月17日,芯视佳12英寸硅基OLED产业园在安徽淮南开工。
芯视佳官方消息显示,该项目计划2024年7月设备搬入,12月产品点亮;2025年进入量产阶段,一期满产产能将达到每月4000片12英寸晶圆,年产值达35亿元。
2022年6月,芯视佳12英寸硅基OLED项目签约淮南市高新区。该项目拟筹投资65亿元建设硅基OLED产业园,分两期建设,其中一期投资15亿元,一期项目占地205亩。
紫光车规级电子器件制造及配套项目
6月28日上午,安徽芜湖高新区(弋江区)31个重大项目集中签约、集中开工。现场,100亿元以上项目——紫光车规级电子器件制造及配套项目签约。
芜湖发布消息显示,此次集中签约、开工的31个项目紧紧围绕智能网联及新能源汽车、微电子及第三代半导体、大数据及信息技术、节能环保及高端装备制造四大主导产业。
华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目
6月28日,华海清科股份有限公司(简称“华海清科”)集成电路高端装备研发及产业化项目奠基仪式在北京市亦庄举行。
通州区马驹桥镇官方消息显示,华海清科集成电路高端装备研发及产业化项目位于马驹桥镇智能制造基地,主要涉及化学机械抛光(CMP)设备、减薄机的研发和产业化。该项目达产后,将具备28纳米以下先进制程CMP设备研制能力,以及每月20万片12英寸再生晶圆代工能力。
华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目
6月30日,华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目开工仪式在江苏无锡举行。
据悉,6月8日,二期项目在南京签约。该项目由华虹半导体制造(无锡)有限公司承担,总投资67亿美元,将建设一条工艺等级覆盖65/55-40nm,月产能8.3万片的12英寸特色工艺生产线。项目聚焦车规级芯片,对非易失性存储器、电源管理、功率器件等工艺领域进行深入布局和研发,持续提升在新能源汽车、物联网、新能源、智能终端等领域的应用。
【封顶】
长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目
6月21日,长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目在江阴举行新厂房封顶仪式。
中铁建工集团有限公司苏州分公司消息显示,该项目位于江阴市高新区,总建筑面积约15.2万平方米,涵盖生产车间、库房、变电站、门卫室、厂区等多个区域。项目建成后,可拥有年产60亿颗高端先进封装芯片的生产能力。
广芯半导体封装基板项目
近日,广芯半导体封装基板项目传来新进展。
固达建材消息显示,目前该项目厂房及配套设施主体结构已封顶,正在完成相关附属配套工程建设。
广芯半导体封装基板产品制造项目由广州广芯封装基板有限公司投资建设,总投资约58亿元,用地面积约14万平方米,总建筑面积约38万平方米。项目投产后,预计年产半导体封装基板150万PNL、半导体高阶倒装芯片封装基板20000万颗、半导体多芯片堆叠大尺寸封装基板150万PNL,年产值将达56亿元。
【投/量产通线】
积塔半导体12英寸汽车芯片先导线
6月2日,积塔半导体12英寸汽车芯片先导线建成通线。
积塔12英寸汽车芯片工艺线项目着力90nm到40nm车规级微处理器(MCU)、模拟IC、CIS等高端芯片制造,将填补其在12英寸工艺半导体芯片制造能力的空白。
该产线12英寸BCD产品于今年2月正式投片,6月2日流片完成,元器件电性(WAT)测试结果全部达标。积塔半导体官方消息显示,此次建成通线标志着积塔12英寸汽车芯片项目取得重大进展,是积塔半导体实现12英寸汽车芯片战略的重要里程碑。充分验证了积塔半导体12英寸特色工艺产线已具备量产标准,对积塔未来的工艺技术提升、产品开拓、产线扩建具有重要意义。
山东有研艾斯12英寸大硅片产业化项目
6月12日,山东有研艾斯12英寸集成电路用大硅片产业化项目首台设备搬入山东德州新厂房。
山东有研艾斯消息显示,12英寸集成电路用大硅片产业化项目是中国有研、RST株式会社及有研硅布局建设的重点项目,项目在北京建有研发中心及中试线,坚持产品研发、客户认证等工作与量产项目建设同步进行,目前出货量达到4万片/月。项目建设于2021年底启动,顺利完成厂房建设,按计划开始设备搬入及工艺调试,预计2023年10月完成全部设备搬入并实现量产。
中山芯承半导体封装基板连线
6月19日上午,中山芯承半导体有限公司(简称“芯承半导体”)封装基板连线仪式在广东省中山市三角镇高平工业区举行。
据芯承半导体创始人兼CEO谷新当时介绍,现阶段工厂已经可实现L/S 15/15线路、层数达6层的WB CSP、FC CSP、SiP基板生产,预计本周开始将陆续完成第一个SiP订单交付和FC CSP订单样品交付。按照计划,芯承半导体今年将在推进FC CSP量产的同时,达成FC BGA基板向客户交样的能力,并在未来持续提升FC CSP、FC BGA产能占比。
【交付】
芯粤能车规级碳化硅芯片产线
6月17日,第二届南沙国际集成电路产业论坛(IC NANSHA)正式开幕。广东芯粤能半导体有限公司董事长肖国伟和总裁徐伟受邀参加论坛并做致辞和主题演讲。
肖国伟董事长表示,芯粤能项目2021年落户南沙,总投资75亿元,分别建设年产24万片6英寸和24万片8英寸碳化硅晶圆芯片生产线,是目前国内最大的专注于车规级、具备规模化产业聚集及全产业链配套能力的碳化硅芯片制造项目,短时间内即通过了国家重大项目审核,列入广东省2022年和2023年重点建设项目。整体工程经过15个月努力建设,战胜新冠疫情爆发和极端天气多重困难,已顺利完工,于3月15日实现正式通线。
中芯集成三期12英寸中试线量产
6月17日,中芯集成三期12英寸中试线量产暨第10000片晶圆下线仪式举行。
6月1日,中芯集成公告称,其及子公司中芯先锋与绍兴滨海新区芯瑞基金签订《中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司之投资协议》,投资建设中芯绍兴三期12英寸特色工艺晶圆制造中试线项目(计划今年完成建设),主要生产IGBT、SJ等功率芯片,HVIC(BCD)等功率驱动芯片。
该项目总投资42亿元,用于建设一条集研发和月产1万片12英寸集成电路特色工艺晶圆小规模工程化、国产验证及生产验证的中试实验线。
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