近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。
期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，江苏芯港半导体有限公司总经理程斌带来“蓝宝石基GaN材料及功率器件进展”的主题报告，
GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速度、更低的损耗和更高的击穿电压。由于昂贵的氮化物单晶衬底，商用GaN基器件通常生长在蓝宝石、SiC或Si衬底上。
芯港半导体专业从事蓝宝石基氮化镓功率器件的企业，掌握大尺寸高质量高耐压的蓝宝石基氮化镓外延技术。报告中分享了蓝宝石基GaN外延及芯片技术研究进展。其中，报告指出功率器件应用的蓝宝石基氮化镓外延技术，技术团队通过理论计算并结合多年在蓝宝石衬底上的生长经验，研制出4/6 inch高质量蓝宝石基GaN HEMT外延技术。6 inch 蓝宝石基GaN 非接触式HALL测试方块电阻均值314，STD 为0.92% 。蓝宝石基氮化镓增强型器件关键技术，优异的材料质量结合终端的电场管理技术，氮化镓增强型器件击穿电压达到2300V，栅漏间最高平均击穿场强大于1.5MV/cm。
据介绍，芯港半导体是国内专业从事蓝宝石基氮化镓功率器件的企业，掌握大尺寸高质量高耐压的蓝宝石基氮化镓外延技术。其开发的蓝宝石基GaN外延材料，XRD 摇摆曲线（002）/（102）半高宽分别达到60 /120 arcsec；3um 缓冲层的外延材料ISO 击穿电压超过3000V，为1200V-1700V量级器件打下基础。产品方面主要包含耗尽型器件和增强型器件两大类，耗尽型器件采用耐高压的介质栅，大幅降低栅界面态，实现良好的开关特性及可靠性；增强型器件采用PGaN帽层掺杂调控技术，栅击穿电压达到16V。公司所推出的650V增强型和耗尽型器件（导通电阻200m，400 m，800 m，1600 m）具有良好的动态导通电阻，并顺利通过客户各项验证。
主营产品
芯港半导体主要研发、生产、销售蓝宝石基GaN HEMT功率器件。产品方面主要包含耗尽型器件和增强型器件两大类，耗尽型器件采用耐高压的介质栅，大幅降低栅界面态，实现良好的开关特性及可靠性；增强型器件采用PGaN帽层掺杂调控技术，栅击穿电压达到16V。本公司所推出的650V增强型和耗尽型器件（导通电阻200m，400 m，800 m，1600 m）具有良好的动态导通电阻，并顺利通过客户各项验证。另外本公司将在9月份推出1200V-1700V的器件产品。
蓝宝石基GaN HEMT 晶圆片
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