宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。
期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，中国科学院微电子研究所研究员黄森带来《Si基GaN功率器件制备技术与集成》的主题报告，分享最新技术研究进展与成果。
报告中介绍，美国国防部高级研究计划局（DARPA）将GaN列为改变世界的13大技术之一。国家十四五规划“集成电路”专栏明确要求发展碳化硅，氮化镓等宽禁带半导体。发展GaN等功率半导体对推进 “碳达峰&碳中和”战略提供重要技术支撑。
报告中指出，高频低压最能体 现 GaN 的高效优势！低压是GaN基异质结功率器件的未来优势领域，大尺寸Si基AlGaN/GaN增强型MIS-HEMT是GaN低压功率芯片的发展趋势。超薄势垒Si基GaN技术是实现GaN基功率集成的良好平台。
报告介绍，研究基于超薄势垒AlGaN(<6nm)/GaN异质结构，实现了无需刻蚀AlGaN的本征增强型MIS-HEMT，器件具有高阈值(~2.7 V)、良好的阈值均匀性以及较低的关态漏电，突破了P-GaN增强型HEMT的阈值瓶颈。
基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结构平台实现了E/D模n沟道MIS-HEMT，低开启电压功率二极管，以及高击穿电压p/n沟道增强型MOSFET，为全GaN功率和射频器件、数字/驱动电路的单片集成奠定了基础；Si基超薄势垒MIS-HEMT技术路线是未来GaN智能功率超越摩尔发展的良好选择。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
CASICON 系列活动简介：
“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。
大会部分精彩花絮回顾
论坛现场
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